GS66508T-E02-TY (GaN Systems )

Наименование GS66508T-E02-TY
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 2090044
Сравнить В избранное

Характеристики GaN-транзистора GS66508T:

  • Производитель: GaN Systems
  • Категория продукта: МОП-транзистор
  • RoHS: есть
  • Технология: GaN
  • Вид монтажа: SMD/SMT
  • Упаковка / блок: GaNPX-4
  • Количество каналов: 1 Channel
  • Полярность транзистора: N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V
  • Id - непрерывный ток утечки: 30 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 55 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.6 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
  • Qg - заряд затвора: 6.5 nC
  • Минимальная рабочая температура: - 55 C
  • Максимальная рабочая температура: + 150 C
  • Конфигурация: Single
  • Канальный режим: Enhancement
  • Упаковка: Tray
  • Высота: 0.44 mm
  • Длина: 6.91 mm
  • Ширина: 4.43 mm
  • Продукт: MOSFET
  • Серия: GS66508
  • Торговая марка: GaN Systems
  • Тип продукта: MOSFET

Ограничение ввоза

Для продвижения своей продукции GaN Systems выпустила отладочную плату GS66508T-EVBHB, которая в очередной раз демонстрирует преимущества GaN-транзисторов. При использовании GS66508T-EVBHB в составе синхронного понижающего преобразователя значение КПД превысило 98,5% для диапазона выходных мощностей 1…2 КВт! Главная особенность данной отладочной платы заключается в том, что она выполнена в виде небольшого стенда, схему которого определяет пользователь с помощью подключения внешних проводников и компонентов.

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Сравнение позиций

  • ()