GS66508T-E02-TY (GaN Systems )

Наименование GS66508T-E02-TY
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 2090044
Сравнить В избранное
Характеристики GaN-транзистора GS66508T:
• Рейтинг напряжения: 650 В;
• Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм;
• Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм;
• Максимальный токе стока: 30А;
• Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В;
• Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В;
• Рабочая частота: более 100 МГц;
• Расположение теплоотводящей площадки: сверху;
• Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.

Ограничение ввоза

Для продвижения своей продукции GaN Systems выпустила отладочную плату GS66508T-EVBHB, которая в очередной раз демонстрирует преимущества GaN-транзисторов. При использовании GS66508T-EVBHB в составе синхронного понижающего преобразователя значение КПД превысило 98,5% для диапазона выходных мощностей 1…2 КВт! Главная особенность данной отладочной платы заключается в том, что она выполнена в виде небольшого стенда, схему которого определяет пользователь с помощью подключения внешних проводников и компонентов.

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

Сравнение позиций

  • ()