EPC9203 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)

Наименование EPC9203
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC)
Артикул 1920910
Производитель компонента
Чип/Ядро
Назначение
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

Миниатюрная (11x12 мм) полумостовая сборка eGaN транзисторов EPC2021 80 В, 20 A с драйвером LM5113 от TI и необходимой обвязкой. КПД до 92%. Может использоваться как модуль в готовой продукции (понижающие DC/DC преобразователи) и в качестве референс-дизайна.

EPC2021ENG (EPC)

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V

Новые технологии не всегда принимаются сообществом разработчиков с распростертыми объятиями. Иногда даже самые прорывные продукты вначале вызывают недоверие. Не стала исключением и новая технология eGaN® транзисторов и транзисторных сборок от компании EPC. Характеристики этих силовых ключей во многих случаях значительно превосходят характеристики привычных кремниевых транзисторов. eGaN имеют меньшее сопротивление открытого канала, большее быстродействие и удельную мощность, высокую стабильность свойств при воздействии радиации и изменении температуры.

НЕТ В НАЛИЧИИ
Уведомить о поступлении
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()