EPC9201 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)
EPC9201 – отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами. На плате установлены eGAN FET транзисторы EPC2015 и EPC2023, драйвер затвора LM5113 от Texas Instruments, высокочастотные входные конденсаторы. EPC9203 может управляться от одного PWM входа. Габариты платы 11 х 12 мм позволяют монтировать ее непосредственно на основную печатную плату, в существующий преобразователь. Для минимизации паразитных эффектов от процессов коммутации и др., EPC9203 разработана с оптимальной компоновкой компонентов.
![]() |
![]() |
Рис. 1. Отладочная плата EPC9201 на фоне 1 цента США. Вид сверху | Рис. 2. Отладочная плата EPC9201. Вид снизу |
![]() |
Рис. 3. Схема функциональная EPC9201 |
Рис. 4. Схема принципиальная электрическая отладочной платы EPC9201/ EPC9203
Рис. 5. Зависимость КПД EPC9201 от выходного тока для частот переключения 0.5 МГц и 1 МГц
Отличительные особенности:
- повышенная плотность мощности;
- максимальный КПД 92% (Uвх=12В, Uвых=1В);
- оптимальная компоновка всех необходимых компонентов;
- простой монтаж на печатную плату;
- один вход PWM управления;
- высокочастотные eGAN FET транзисторы;
- минимальные габариты 11 х 12 мм и стоимость.
Комплектация:
- отладочная плата EPC9201.
В последнее время все большее распространение получают полупроводниковые изделия на основе нитрида галлия GaN, отличающиеся от кремниевых изделий большими скоростями переключения и эффективностью. Активное участие в продвижении GaN-технологий принимает компания EPC, разработавшая и реализовавшая на практике технологию еGaN (enhanced GaN), улучшающую и без того хорошие характеристики силовых GaN-транзисторов.
Новые технологии не всегда принимаются сообществом разработчиков с распростертыми объятиями. Иногда даже самые прорывные продукты вначале вызывают недоверие. Не стала исключением и новая технология eGaN® транзисторов и транзисторных сборок от компании EPC. Характеристики этих силовых ключей во многих случаях значительно превосходят характеристики привычных кремниевых транзисторов. eGaN имеют меньшее сопротивление открытого канала, большее быстродействие и удельную мощность, высокую стабильность свойств при воздействии радиации и изменении температуры.
Отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами.
