GS66508P-E03-TY (GaN Systems )

Наименование GS66508P-E03-TY
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 1895271
Сравнить В избранное
GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал.
  Vds:  650 V  
  Vgs:  10 V  
  Id :  30 A  
  Rds On :  52 mOhms
  Qg:  6.5 nC  
  Ciss :  180 pF

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

Сравнение позиций

  • ()