GS66508P-E03-TY (GaN Systems )

Наименование GS66508P-E03-TY
Производитель GaN Systems (GAN)
Артикул 1895271
Сравнить В избранное

GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью. N-Канал.

Технические характеристики:

  • Производитель: GaN Systems
  • Категория продукта: МОП-транзистор
  • Ограничения на доставку: на данный момент нет поставки этой продукцию в ваш регион
  • RoHS: есть
  • Технология: GaN
  • Вид монтажа: SMD/SMT
  • Упаковка/ блок: GaNPX-4
  • Полярность транзистора: N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V
  • Id - непрерывный ток утечки: 30 A
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 52 mOhms
  • Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.6 V
  • Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V
  • Qg - заряд затвора: 6.5 nC
  • Канальный режим: Enhancement
  • Упаковка: Tray
    Серия: GS66508
    Торговая марка: GaN Systems
    Тип продукта: MOSFET

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Сравнение позиций

  • ()