EPC2012 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)

Наименование EPC2012
Производитель Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC)
Артикул 1371543
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

Технические характеристики:

  • FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
  • FET Feature Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.5nC @ 100V
  • Input Capacitance (Ciss) @ Vds 128pF @ 100V
  • Power - Max - Mounting
  • Type Surface Mount Package / Case Die

Применение:

  • High Speed DC-DC conversion
  • Class D Audio
  • Hard Switched and High FrequencyCircuits

Отличительные особенности:

  • Ultra High Efficiency
  • UltraLow RDS(on)
  • Ultralow QG
  • Ultrasmall footprint

EPC2012 - TRANS GAN 200V 3A