EPC2010 (Efficient Power Conversion (EPC) Corporation)
| Наименование | EPC2010 |
| Производитель | Efficient Power Conversion (EPC) Corporation(EPC) |
| Артикул | 1371542 |
| Максимальная рабочая температура |
 |
| Минимальная рабочая температура |
 |
| Корпус |
 |
| Макс. напряжение Vdss |
 |
| Конфигурация и полярность |
 |
| Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса |
 |
| Rd(on) |
 |
| Технология |
 |
EPC2010 - TRANS GAN 200V 25A BUMPED DIE
Технические характеристики:
- FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
- FET Feature Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 6A, 5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA
- Gate Charge (Qg) @ Vgs 5nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) @ Vds 480pF @ 100V
- Power - Max -
- Mounting Type Surface Mount
- Package / Case Die
Применение:
- High Speed DC-DC Conversion
- High Frequency Hard Switching and Soft Switching
- Class D Audio
Отличительные особенности:
- Higher Switching Frequency – lower switching losses and lower drive power
- Higher Efficiency – lower conduction and switching losses, zero reverse recovery losses
- Smaller Footprint - Higher power density
Основные преимущества использования GaN-транзисторов в источниках питания
28/12/2018 | GaN Systems
Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.
