Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

600 В CoolMOS™ P7 от Infineon: тестируем эффективность в реальных схемах

Линейка МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением 600 В является преемником серии CoolMOS™ P6 и предназначена для использования в импульсных источниках питания как малой, так и большой мощности. Как видно из диаграммы, показанной на рисунке 1, компания Infineon позиционирует технологию CoolMOS™ P7 как наиболее сбалансированное решение по основным показателям – высокому КПД, устойчивости к стрессовым воздействиям и электростатическому разряду, простоте использования и широкой номенклатуре линейки МОП-транзисторов при умеренной стоимости.

Ключевые показатели CoolMOS™ P7 по сравнению с другими технологиями 600-вольтовых МО П-транзисторов

Рис. 1. Ключевые показатели CoolMOS™ P7 по сравнению с другими технологиями 600-вольтовых МОП-транзисторов

Повышение КПД и удельной мощности импульсных источников питания вызывает ряд проблем в силовых каскадах преобразователей напряжения на основе высоковольтных МОП-транзисторов (рисунок 2). Решения компании Infineon на основе технологии CoolMOS™ P7 направлены на повышение энергоэффективности силовых преобразовательных устройств при одновременном снижении рисков, связанных с внешними воздействиями:

  • благодаря оптимальной величине встроенного резистора затвора, МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 отличаются малыми значениями паразитных колебаний в цепи затвора, что облегчает разработчику достижение заданных проектных требований (простота использования);
  • устойчивость внутреннего диода к большим скоростям изменения тока и напряжения позволяет использовать МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 в преобразователях как с жестким, так и с мягким переключением;
  • все 600-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 обладают высокой устойчивостью к электростатическому разряду амплитудой более 2 кВ (Human Body Model), что снижает вероятность их повреждения при серийном производстве, при этом МОП-транзисторы с RDS(on) > 100 мОм дополнительно защищены внутренним стабилитроном.

 Решение проблем применения высоковольтных МОП-транзисторов в силовой преобразовательной технике

Рис. 2. Решение проблем применения высоковольтных МОП-транзисторов в силовой преобразовательной технике

Преимущества CoolMOS™ P7, обеспечивающие повышение КПД импульсных источников питания

Низкий уровень заряда затвора QG, QGD

Одним из существенных улучшений CoolMOS™ P7 по сравнению с P6 является уменьшение полного заряда затвора Qg во всем диапазоне значений RDS(on), достигнутое, в основном, за счет снижения величины заряда «затвор-сток» QGD. Уменьшение Qg и более короткий участок «плато Миллера» обеспечивают повышение КПД, особенно при малой нагрузке, вследствие снижения потерь драйвера затвора (Pdriv = 2•Qg•Ug•fsw) и быстрых переходных процессов включения и выключения. Кроме того, низкий уровень Qg позволяет снизить требования к выходному току драйвера затвора. На рисунке 3 показаны значения заряда затвора Qg нескольких МОП-транзисторов в категории RDS(on) = 180 мОм: CoolMOS™ P7, P6 и двух образцов других производителей. Основной вывод, который следует из графиков на рисунке 3, заключается в снижении коммутационных потерь затвора P7 по сравнению с P6 на 30%.

Рис. 3. Сравнение величины заряда затвора МО П-транзисторов CoolMOS™ P7, P6 и изделий других производителей

Рис. 3. Сравнение величины заряда затвора МОП-транзисторов CoolMOS™ P7, P6 и изделий других производителей

Низкая величина энергии заряда выходной емкости

По сравнению с МОП-транзисторами предыдущих поколений выходная емкость COSS CoolMOS™ P7 имеет более высокие значения в диапазоне малых напряжений «сток-исток» и значительно меньшую величину в области высоких напряжений, что дает основной вклад в энергию заряда выходной емкости EOSS. Благодаря резко выраженной нелинейности COSS энергия EOSS МОП-транзисторов P7 снижена по сравнению с изделиями предыдущих поколений примерно наполовину. Как показано на рисунке 4, при напряжении 400 В, типичном для шины питания импульсных преобразователей, потери EOSS, обусловленные перезарядом выходной емкости, при использовании МОП-транзистора P7 по сравнению с P6 – примерно на 50% меньше.

Рис. 4. Сравнение EOSS МО П-транзисторов CoolMOS™ P7, P6 и изделий других производителей

Рис. 4. Сравнение EOSS МОП-транзисторов CoolMOS™ P7, P6 и изделий других производителей

Малые потери при включении и выключении

На рисунках 5 и 6 показаны результаты измерения энергии потерь при включении Eon и выключении Eoff для МОП-транзисторов P6 и P7. При работе МОП-транзистора в составе корректора коэффициента мощности (ККМ) с максимальным током стока 5 A и сопротивлением резистора затвора Rg = 10 Ом CoolMOS™ P7 обеспечивает примерно на 20% меньшие потери при выключении и примерно на 15% меньшие – при включении по сравнению с P6. Улучшение коммутационных характеристик P7 обусловлено меньшими значениями емкости Crss (паразитная емкость «затвор-сток») и полного заряда затвора Qg.

Рис. 5. Сравнение энергии потерь при выключении CoolMOS™ P7 и P6

Рис. 5. Сравнение энергии потерь при выключении CoolMOS™ P7 и P6

Благодаря меньшим потерям на выключение P7 хорошо подходит для топологий, в которых доминирующими являются потери при выключении, например, для ККМ в режиме прерывистых токов, а также для преобразователей с мягким переключением, например, LLC.

Рис. 6. Сравнение энергии потерь при включении CoolMOS™ P7 и P6

Рис. 6. Сравнение энергии потерь при включении CoolMOS™ P7 и P6

Использование корпусов меньшего размера при сохранении невысоких значений RDS(on)

Технология CoolMOS™ P7 позволяет преодолеть ограничения, связанные с габаритами корпуса, сохраняя при этом невысокие значения RDS(on). Как показано на рисунке 7, наименьшее значение RDS(on) в МОП-транзисторе в корпусе TO-220 составляет 60 мОм, что на 36% ниже по сравнению с аналогами, изготовленными по другим технологиям. Наименьшее значение RDS(on) МОП-транзистора в корпусе TO-247 составляет всего 17 мОм. В целом, это обеспечивает более высокую удельную мощность и больший КПД, необходимые для современных силовых преобразователей.

Рис. 7. Сравнение сопротивления RDS(on) P7 по сравнению с P6 и лучшими образцами других производи- телей

Рис. 7. Сравнение сопротивления RDS(on) P7 по сравнению с P6 и лучшими образцами других производителей

Как правило, выбор типа корпуса определяется рассеиваемой тепловой мощностью, что ограничивает возможность использования малогабаритных корпусов ввиду меньшей площади теплового контакта. Однако с уменьшением общих потерь, достигнутым в 600-вольтовых МОП-транзисторах CoolMOS™ P7, конструкция теплоотводов позволяет использовать МОП-транзисторы в корпусах меньших размеров при сохранении требуемого теплового режима. Кроме того, МОП-транзисторы в таких корпусах, как правило, имеют меньшую стоимость.

Сравнение КПД 500-ваттного ККМ в режиме непрерывных токов при использовании нескольких типов МОП-транзисторов

Малые значения Eoss, Qg, RDS(on) и меньшие коммутационные потери 600-вольтовых МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 позволяют существенно улучшить характеристики преобразователей с жесткой коммутацией. На рисунке 8 показаны графики относительного изменения КПД при использовании нескольких типов МОП-транзисторов в составе ККМ мощностью 500 Вт, работающего в режиме непрерывных токов с жесткой коммутацией МОП-транзисторов. В рабочем диапазоне мощностей нагрузки применение МОП-транзистора CoolMOS™ P7 обеспечивает наибольший КПД с разницей, по меньшей мере, на 0,15% по сравнению с ближайшим аналогом. Простая замена используемого МОП-транзистора на CoolMOS™ P7 дает повышение КПД на 0,51% при максимальной мощности нагрузки, что приводит к снижению потерь на 2,5 Вт. Следует отметить, что при более высоких частотах коммутации преимущества P7 будут еще значительнее.

Рис. 8. Сравнение КПД 500-ваттного ККМ , работающего на частоте 65 кГц, при использовании разных МО П-транзисторов

Рис. 8. Сравнение КПД 500-ваттного ККМ, работающего на частоте 65 кГц, при использовании разных МОП-транзисторов

Сравнение КПД 600-ваттного полумостового резонансного преобразователя топологии LLC при использовании нескольких типов МОП-транзисторов

На рисунке 9 приведено сравнение КПД 600-ваттного преобразователя LLC, работающего с Vin = 380 В и Vo = 12 В на резонансной частоте fo = 157 кГц при использовании разных типов МОП-транзисторов. Вследствие меньших потерь на выключение и меньших потерь проводимости, МОП-транзистор P7 обеспечивает повышение КПД приблизительно на 0,1% по сравнению с ближайшим аналогом во всем диапазоне токов нагрузки. Простая замена используемого МОП-транзистора на CoolMOS™ P7 дает повышение КПД на 0,15% при максимальной мощности нагрузки, что приводит к снижению потерь на 1 Вт.

Рис. 9. Сравнение КПД полумостового резонансного преобразователя топологии LL C мощностью 600 Вт при использовании разных МО П-транзисторов

Рис. 9. Сравнение КПД полумостового резонансного преобразователя топологии LLC мощностью 600 Вт при использовании разных МОП-транзисторов

Сравнение КПД 240-ваттного источника питания стандарта 80 PLUS Silver для потребительского рынка ПК при использовании нескольких типов МОП-транзисторов

На рисунке 10 показано сравнение КПД 240-ваттных источников питания стандарта 80 PLUS Silver, предназначенных для потребительского рынка персональных компьютеров (ПК). Измерения, проведенные при напряжении сети переменного тока 90 В и частоте коммутации 65 кГц, показывают увеличение КПД с МОП-транзистором CoolMOS™ P7 на 0,3% при малой нагрузке, что обусловлено меньшими коммутационными потерями и потерями драйвера затвора, а также примерно на 0,2% при полной нагрузке вследствие меньших потерь проводимости. Простая замена используемого МОП-транзистора на CoolMOS™ P7 дает повышение КПД на 0,18% при максимальной мощности нагрузки, что приводит к снижению потерь на 0,5 Вт.

Рис. 10. Сравнение КПД 240-ваттных источников питания стандарта 80 PLUS Silver при использовании различных МОП-транзисторов

Рис. 10. Сравнение КПД 240-ваттных источников питания стандарта 80 PLUS Silver при использовании различных МОП-транзисторов

Проверка 240-ваттного источника питания стандарта 80 PLUS Silver на устойчивость к провалу входного напряжения

Одним из важных видов испытаний импульсных источников питания является проверка устойчивости к провалам входного напряжения питания. В процессе данного испытания источник питания должен отключиться при заданном минимальном входном напряжении, сохранив при этом свою работоспособность. Как правило, функция отключения, защищающая МОП-транзистор от работы при пониженном напряжении, встроена в контроллер источника питания, однако при этом остается проблема температурной стабильности МОП-транзистора при работе с полной мощностью нагрузки вблизи нижнего порога входного напряжения. Высокие статические и динамические потери, обусловленные большой величиной рабочего тока, приводят к рассеиванию большой мощности в МОП-транзисторе и, как следствие, к значительному росту температуры кристалла.

Рис. 11. Сравнение температуры транзисторов в источнике питания мощностью 240 Вт

Рис. 11. Сравнение температуры транзисторов в источнике питания мощностью 240 Вт

CoolMOS™ P7 характеризуется уменьшенным зарядом Qg и сбалансированной величиной встроенного резистора Rg, что обеспечивает быструю коммутацию и, соответственно, низкие потери при включении и выключении. Помимо значительного снижения коммутационных потерь P7 имеет также малые потери проводимости вследствие более низкой величины RDS(on). В испытании пониженным напряжением 240-ваттного ККМ (рисунок 11) измеренная температура корпуса CoolMOS™ P7 остается на 5…7°C ниже температуры МОП-транзисторов других производителей.

Паразитные колебательные процессы в цепи затвора

На рисунке 12 показаны результаты измерений размаха паразитных колебаний в цепи затвора МОП-транзисторов CoolMOS™ P7, P6 и образцов других производителей в типовой схеме ККМ с дополнительной емкостью 7,2 пФ между затвором и стоком, имитирующей паразитную емкость печатной платы. Паразитная емкость проводников печатной платы может вызвать нежелательные колебательные процессы, накладывающиеся на импульсы управления затвором, что особенно сильно проявляется при увеличении тока нагрузки.

Рис. 12. Сравнение уровней паразитных колебаний в цепи затвора различных МОП-транзисторов

Рис. 12. Сравнение уровней паразитных колебаний в цепи затвора различных МОП-транзисторов

Результаты измерений (рисунок 12) показывают, что во всем рабочем диапазоне токов нагрузки колебания в цепи затвора CoolMOS™ P7 с достаточным запасом находятся в пределах допуска ±30 В. Тем не менее, для максимальной эффективности использования МОП-транзисторов разработчикам необходимо минимизировать паразитную емкость между выводами стока и затвора на печатной плате. В данном испытании для управления МОП-транзистором с сопротивлением канала 180 мОм использовался внешний резистор величиной 0,5 Ом.

Осциллограммы напряжений на затворе и стоке CoolMOS™ P7 (рисунок 13) показывают, что с уменьшенной величиной заряда Qg импульсы коммутации имеют достаточно крутые фронты и хорошо демпфированный переходный колебательный процесс. Зеленая осциллограмма показывает напряжение «сток-исток» с амплитудой VDS = 400 В, фиолетовая – напряжение «затвор-исток» с амплитудой VGS = 13 В, желтая – ток стока, нарастающий с каждым импульсом коммутации до предельного значения 64 А.

Рис. 13. Осциллограммы, снятые при работе CoolMOSTM P7 в составе ККМ

Рис. 13. Осциллограммы, снятые при работе CoolMOS™ P7 в составе ККМ

Рекомендации по применению

Минимальная величина внешнего резистора затвора (Rg,ext)

Для достижения высоких эксплуатационных характеристик источника питания рекомендуется использовать внешний резистор в диапазоне 5 Ом для включения и нулевой резистор – для выключения МОП-транзистора. Данная комбинация резисторов Rg обеспечивает высокий КПД и сглаженную форму коммутационного процесса с ограниченным уровнем паразитных колебаний в цепи затвора. Управление эффективностью преобразователя посредством выбора величины Rg стало возможным благодаря наличию встроенного резистора Rg,int и высокой устойчивости CoolMOS™ P7 к возникновению паразитных колебаний. Однако выбор величины внешнего резистора Rg в любом случае зависит от элементов топологии печатной платы, которые способны создавать в цепях МОП-транзистора импульсы напряжения вследствие паразитной индуктивности (Lstray•di/dt) или импульсы тока, обусловленные паразитной емкостью (Cparasitics•du/dt). Для предотвращения появления коротких импульсов тока и напряжения большой амплитуды рекомендуется уменьшать значения паразитных параметров печатной платы или увеличивать сопротивление Rg,ext.

Параллельное включение 600-вольтовых МОП-тразисторов CoolMOS™ P7

При параллельном соединении 600-вольтовых МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 рекомендуется использовать ферритовые бусины в цепях управления затворами или отдельные двухтактные драйверы для каждого МОП-транзистора.

Ферритовая бусина, установленная непосредственно возле вывода затвора МОП-транзистора, позволяет существенно снизить частоту среза передаточной характеристики цепи управления затвора, не оказывая в то же время значительного влияния на коммутационные характеристики затвора. Максимальный рабочий ток ферритовой бусины должен превышать с некоторым запасом пиковый ток затвора, а импеданс бусины должен составлять 50…60 Ом на частоте 100 МГц и выше для получения необходимого затухания в цепи затвора. В качестве примера можно привести ферритовую бусину BLM41PG600SN1 (рисунок 14) производства компании Murata, выполненную в корпусе для поверхностного монтажа типоразмера 1806. Максимальный ток BLM41PG600SN1 составляет 6 А, а сопротивление на постоянном токе – 0,01 Ом.

Рис. 14. Частотные характеристики импеданса ферритовой бусины BLM41PG600SN1

Рис. 14. Частотные характеристики импеданса ферритовой бусины BLM41PG600SN1

Наибольший эффект от использования ферритовой бусины достигается при достаточно высокой скорости переключения МОП-транзисторов преобразователя и особенно – при их параллельном соединении, как показано на рисунке 15. В силовых импульсных преобразователях, конструкция которых в целом соответствует требованиям, предъявляемым к подобным устройствам, но не до конца оптимизирована, добавление ферритовой бусины демпфирует паразитные колебания напряжения на затворе, уменьшая их число с исходных 8…12 периодов до 1…2. При использовании общего драйвера для управления параллельно соединенными МОП-транзисторами установка ферритовых бусин на затвор каждого транзистора предотвращает их взаимное влияние, которое при прямом соединении затворов возникает вследствие неравномерного распределения токов в МОП-транзисторах и наличия паразитных элементов печатного монтажа.

Рис. 15. Схема параллельного соединения МО П-транзисторов CoolMOS™ P7 с ферритовыми бусинами в цепях управления затворами

Рис. 15. Схема параллельного соединения МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 с ферритовыми бусинами в цепях управления затворами

Ферритовую бусину следует устанавливать как можно ближе к выводу затвора. При ее наличии устойчивая работа МОП-транзистора при напряжении 400 В возможна при значительно большей паразитной емкости «сток-затвор». Основным недостатком бусины является некоторое увеличение площади печатной платы и стоимости устройства из-за установки дополнительного элемента типоразмера 1806.

Демонстрационные платы

Для оценки возможностей новой линейки МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 компания Infineon предлагает несколько типов демонстрационных плат.

Резонансный преобразователь топологии LLC мощностью 600 Вт

Данная демонстрационная плата показывает возможность реализации источника питания сервера, соответствующего стандарту энергоэффективности 80+ Titanium, на основе резонансного преобразователя топологии LLC (рисунок 16). Для достижения высоких характеристик в преобразователе использованы новейшие 600-вольтовые МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 IPP60R180P7 на первичной стороне и низковольтные МОП-транзисторы OptiMOS™ BSC010N04LS в корпусах SuperSO8 в выходном синхронном выпрямителе, микросхема квазирезонансного преобразователя CoolSET™ ICE2QR2280Z, драйвер затвора верхнего и нижнего ключей 2EDL05N06PF, драйвер затвора нижнего ключа 2EDN7524F и аналоговый контроллер ICE2HS01G резонансного преобразователя LLC.

Рис. 16. Внешний вид демонстрационной платы резонансного преобразователя LLC мощностью 600 Вт

Рис. 16. Внешний вид демонстрационной платы резонансного преобразователя LLC мощностью 600 Вт

Отличительные особенности:

  • лучшие в своем классе высоковольтные и низковольтные МОП-транзисторы для применения в резонансном преобразователе LLC;
  • аналоговое управление;
  • оптимизированная конструкция моточных элементов (трансформатора и резонансного дросселя);
  • оптимальные схемы управления затворами МОП-транзисторов как первичной, так и вторичной стороны;
  • максимальный ток нагрузки 50 А при выходном напряжении 12 В;
  • КПД более 97,4% при мощности нагрузки 50% от максимальной и более 95% при 10% от максимальной.

Основные преимущества:

  • КПД преобразователя, соответствующее стандарту 80 + Titanium;
  • оптимальное использование лучших в своем классе МОП-транзисторов CoolMOS™ и OptiMOS™;
  • режим переключения в нуле напряжения (ПНН), достигаемый во всем диапазоне мощностей нагрузки;
  • безопасная эксплуатация высоковольтных МОП-транзисторов при критических ситуациях, связанных с работой преобразователя LLC.

Возможные области применения:

  • источники питания серверов;
  • промышленные источники питания;
  • промышленные зарядные устройства аккумуляторных батарей.

Высоковольтный преобразователь LLC мощностью 3 кВт для телекоммуникационного и промышленного оборудования

Данная демонстрационная плата представляет собой функционально законченный модуль высоковольтного преобразователя постоянного напряжения мощностью 3 кВт с 600-вольтовыми МОП-транзисторами CoolMOS™ P7 для телекоммуникационного и промышленного оборудования (рисунок 17).

Рис. 17. Внешний вид и габаритные размеры демонстрационной платы резонансного преобразователя LLC мощностью 3 кВт

Рис. 17. Внешний вид и габаритные размеры демонстрационной платы резонансного преобразователя LLC мощностью 3 кВт

Основные компоненты платы:

  • высоковольтный МОП-транзистор IPW60R037P7;
  • изолированный драйвер затвора 1EDI60N12AF;
  • 150-вольтовый МОП-транзистор BSC093N15NS5;
  • неизолированный драйвер затвора 2EDN7524;
  • микроконтроллер XMC4400;
  • микросхема сетевого квазирезонансного преобразователя со встроенным ключом ICE2QR2280Z.

Отличительные особенности:

  • двухфазная топология преобразователя;
  • полностью цифровое управление;
  • графический пользовательский интерфейс;
  • максимальный ток нагрузки 55 А при выходном напряжении 44…58 В;
  • КПД более 98,5% при мощности нагрузки 50% от максимальной и более 97% – при 10% от максимальной.

Основные преимущества:

  • высокий КПД с практически ровной характеристикой в широком диапазоне мощностей нагрузки;
  • оптимальное использование лучших в своем классе МОП-транзисторов CoolMOS™ и OptiMOS™;
  • защита от критических условий эксплуатации преобразователя LLC;
  • гибкий интерфейс пользователя для настройки параметров преобразователя.

Возможные области применения:

  • выпрямители для телекоммуникационного оборудования;
  • промышленные импульсные источники питания;
  • промышленные зарядные устройства.

ККМ мощностью 800 Вт, работающий в режиме непрерывных токов

Цель данной демонстрационной платы (рисунок 18) – продемонстрировать возможности применения МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 IPP60R180P7 в корректоре коэффициента мощности, работающем в режиме непрерывных токов.

Рис. 18. Внешний вид демонстрационной платы ККМ мощностью 800 Вт

Рис. 18. Внешний вид демонстрационной платы ККМ мощностью 800 Вт

Основные компоненты платы:

  • 600-вольтовый МОП-транзистор CoolMOS™ P7 IPP60R180P7;
  • 650-вольтовый карбид-кремниевый диод Шоттки CoolSiC™ пятого поколения IDH06G65C5;
  • неизолированный драйвер затвора (EiceDRIVER™) 2EDN7524F;
  • контроллер ККМ ICE3PCS01G;
  • микросхема сетевого квазирезонансного преобразователя ICE2QR2280Z со встроенным ключом CoolSET™.

Отличительные особенности:

  • топология: ККМ, выполненный по схеме повышающего преобразователя в режиме непрерывных токов;
  • входное напряжение: 90…265 В AC;
  • частота коммутации: 65 кГц;
  • максимальный входной ток: 10 А действующего значения при входном напряжении 90 В и мощности нагрузки 800 Вт;
  • КПД: более 97,5% при мощности нагрузки 50% от максимальной и более 95% – при 10% от максимальной;
  • размеры платы: 120x80x40 мм.

Возможные области применения:

  • источники питания серверов;
  • источники питания телекоммуникационного оборудования;
  • источники питания ПК;
  • все виды источников питания, эксплуатация которых требует использования ККМ.

Заключение

Тенденции в области силовых преобразовательных устройств направлены на снижение их габаритных размеров при одновременном увеличении выходной мощности. Основные проблемы, с которыми сталкиваются разработчики импульсных источников питания с высокой удельной мощностью – отвод тепла от силовых полупроводниковых приборов (МОП-транзисторов), а также обеспечение их температурной стабильности при пониженном входном напряжении.

Для решения указанных проблем компания Infineon предлагает высоковольтные МОП-транзисторы, выполненные по новейшей технологии CoolMOS™ P7, являющейся дальнейшим развитием линейки МОП-транзисторов CoolMOS™ P6. Применение МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 позволяет снизить как потери проводимости (за счет меньшего сопротивления канала RDS(ON)), так и коммутационные потери (за счет меньших значений заряда затвора Qg, Qgd и меньшей энергии заряда выходной емкости EOSS). Результаты испытаний макетных образцов с МОП-транзисторами CoolMOS™ P7 показывают высокие значения КПД в силовых преобразователях как с жесткой, так и с мягкой коммутацией (ККМ и резонансные преобразователи LLC). При этом графики КПД показывают практически ровную характеристику в широком диапазоне мощностей нагрузки, что соответствует современным стандартам энергоэффективности импульсных источников питания.

Помимо повышения КПД применение CoolMOS™ P7 позволяет эффективно решить ряд проблем, связанных с работой МОП-транзисторов в силовых каскадах — высокую устойчивость к стрессовым воздействиям при жесткой коммутации и подавление паразитных колебаний в цепи затвора. Также их применение обеспечивает защиту от электростатического разряда. Наличие встроенного резистора затвора, позволяющего эффективно демпфировать паразитные колебания в цепи затвора, обеспечивает простоту использования CoolMOS™ P7 – во многих случаях простая замена используемого МОП-транзистора на CoolMOS™ P7 позволяет увеличить КПД импульсного источника питания, не требуя при этом перекомпоновки платы.

К числу преимуществ CoolMOS™ P7 можно отнести также широкую номенклатуру линейки МОП-транзисторов, отличающихся оптимальной дискретностью параметров и умеренную стоимость.

В целом новую линейку МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 можно охарактеризовать как сбалансированное решение, охватывающее различные сегменты рынка источников питания – от персональных компьютеров до телекоммуникационного и промышленного оборудования.

Журнал: Новости электроники за 2017, №7, стр. 5-13

IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
589,00 r
от 6 шт. 505,00 q
от 13 шт. 463,00 q
На складе: 90 шт.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC,
EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
По запросу
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
MOSFET N-Channel 150V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8. По запросу
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, DSO-8
112,00 r
от 31 шт. 96,00 q
от 67 шт. 88,00 q
На складе: 260 шт.
XMC4400F64K512BAXQMA1 XMC4400F64K512BAXQMA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64LQFP
689,00 r
от 5 шт. 590,00 q
от 11 шт. 542,00 q
На складе: 100 шт.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
118,00 r
от 30 шт. 101,00 q
от 64 шт. 92,50 q
На складе: 498 шт.
EVAL800WPFCP7TOBO1 EVAL800WPFCP7TOBO1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Оценочный модуль демонстрирует производительность новейшего транзистора 600V CoolMOS™ P7 (IPP60R180P7), созданного по Power MOSFET технологии, работающего на частоте 65 кГц в CCM PFC повышающем преобразователе совместно с микросхемами 2EDN Eice DRIVER™ (2EDN7524F) и диодом Шоттки пятого поколения 650V CoolSiC™ (IDH06G65C5) с использованием аналогового управления (ICE3PCS01G).
46570,00 r
IDH06G65C5XKSA1 IDH06G65C5XKSA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2. По запросу
Версия для печати версия для печати

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом