Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

Разработка моста для режима жестких переключений на нитрид-галлиевых транзисторах TRANSPHORM

Transphorm

1. Инверторы мощностью 4,5 кВт, изготовленные с использованием кремниевых и GaN-транзисторовКомпания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%.

Читать статью on-line

Скачать статью в формате PDF (2,9 МБ)

Журнал: Новости электроники за 2017, №5, стр. 32-40

Производитель: Transphorm
TPH3205WSB TPH3205WSB Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

Каскодный нитрид-галлиевый полевой транзистор TPH3205WSB.
1730,00 r
от 2 шт. 1480,00 q
от 5 шт. 1360,00 q
На складе: 31 шт.
TPH3207WS TPH3207WS Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

GaN-транзисторы с рабочим напряжением 650 В в корпусе TO-247 c типовым значением сопротивления канала всего 35 мОм, коммутация импульсной токовой нагрузки до 220 А.
2650,00 r
от 2 шт. 2270,00 q
от 3 шт. 2090,00 q
На складе: 2 шт.
TPH3212PS TPH3212PS Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

Key Specifications VDS (V) min650 VTDS (V) max800 RDS(on) (m?) max*85 Qrr (nC) typ90 Qg (nC) typ14 Key Features Easy to drive-compatible with standard…
1830,00 r
от 2 шт. 1570,00 q
от 5 шт. 1440,00 q
На складе: 24 шт.
Версия для печати версия для печати

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом