Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFET

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFETКлючи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию места на печатной плате. Компания Infineon под лозунгом «A revolution to rely on» представила на выставке PCIM в мае 2016 года самую последнюю линейку CoolSIC™ MOSFET.

Читать статью on-line

Скачать статью в формате PDF (3,3 МБ)

Журнал: Новости электроники за 2017, №5, стр. 28-31

IDW40G65C5FKSA1 IDW40G65C5FKSA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC),
CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the mor…
По запросу
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
44,60 r
от 77 шт. 38,20 q
от 168 шт. 35,10 q
На складе: 40 шт.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 Цена, руб. Срок поставки Укажите
кол-во:

Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
47,70 r
от 72 шт. 40,90 q
от 157 шт. 37,50 q
На складе: 2873 шт.
IDH03G65C5XKSA1 IDH03G65C5XKSA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC),
CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
По запросу
IDW12G65C5FKSA1 IDW12G65C5FKSA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC),
CoolSiC™ generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the mor…
По запросу
IDH12G65C5XKSA1 IDH12G65C5XKSA1
PDF RND
Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC),
CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
По запросу
IDH06G65C5XKSA1 IDH06G65C5XKSA1 Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2. По запросу
1EDI60H12AHXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
RND
Цена, руб. Срок поставки Запросить
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC,
EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
По запросу
Версия для печати версия для печати

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом