Новости по тегу SiC, страница 1 из 1

Эффективная обработка бросков тока в цепях PFC с использованием карбид-кремниевых диодов Шоттки

Диоды на основе карбида кремния широко применяются там, где требуются повышенные эффективность и удельная мощность. В процессе оптимизации семейства CoolSiC™ было создано новое шестое поколение (G6) карбид-кремниевых диодов Шоттки со сниженными потерями проводимости. При этом снизилась и величина импульсных токов, которые способен пропускать прибор при определенных условиях.

Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Автомобильные SiC-диоды и МОП-транзисторы сейчас становятся нормой для автомобильной отрасли, где они позволяют значительно снизить потери мощности и повысить эффективность. Новые GaN-транзисторы с улучшенной архитектурой обеспечивают очень высокое быстродействие и КПД до 98%.

Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния– это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их более высокую эффективность в цепях повышающих преобразователей напряжения.

Светочувствительные SOC-модули от Espros

Существует несколько различных вариантов реализации машинного зрения, например, на базе оптических или ультразвуковых сенсоров. И в том, и в другом случае конечная система оказывается чрезвычайно сложной и кроме датчиков включает аналоговые и цифровые блоки, процессор для выполнения цифровой обработки сигналов, систему питания и т. д. В то же время развитие интегральных технологий позволяет создавать системы на кристалле (System on Chip, SOC), которые значительно упрощают жизнь разработчиков и позволяют достигать отличных результатов. Примером этого являются светочувствительные SOC-модули от компании Espros.

Мезонинная плата АЦП/ ЦАП с интерфейсом аудио кодека от компании Terasic

Наличие двух каналов 14-разрядного АЦП со скоростью выборки 150MSPS, двух каналов 14-битного ЦАП со скоростью преобразования 250MSPS и аудио кодека позволит пользователю добавить в проект функцию преобразования сигналов и данных и создать прототипы таких устройств, как недорогой осциллограф, генератор образцовых сигналов, коммуникационный трансивер, устройство записи/ воспроизведения звука и т. д.

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

Демонстрационная плата 800 Вт 130 кГц корректора коэффициента мощности от Infineon

EVAL800W130PFCC7TOBO1 - демонстрационная плата и пример разработки 800 Вт 130 кГц корректора коэффициента мощности, работающего в непрерывном режиме (CCM – Continuous Conduction Mode).

Сравнение позиций

  • ()