Новости по тегу MOSFET, страница 1 из 1

Дискретные полупроводники для IoT-устройств, автомобильной и портативной электроники

В статье дается обзор восьми дискретных компонентов, отвечающих самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений.

Оценочный модуль для N-канальных  транзисторов FemtoFET

Изделие предназначено для тестирования N-канальных FemtoFET транзисторов CSD13380F3, CSD13383F4, CSD13385F5, CSD15380F3, CSD17381F4, CSD17585F5 и CSD18541F5 как непосредственно в приложении пользователя, так и отдельно от него. Транзисторы имеют крошечные размеры F3 (0.6x0.7мм), F4 (0.6x1.0мм) и F5 (0.8x1.5мм), а сама плата, на которой установлены популярные штыревые разъемы, является конструктивным интерфейсом между FemtoFET и платой приложения. Модуль разделен на семь отделяемых частей (карт), на каждой из которых имеется соответствующий транзистор. Плата поможет ускорить оценку и использование  в проекте транзисторов FemtoFET.

Управляющая Интегрированная Силовая Система (CIPOS™). Техническое описание CIPOS™ Mini IPM. Часть 1

В руководстве описывается семейство продуктов CIPOS™ Mini IPM и базовые требования для их функционирования в рекомендованном режиме.

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10x11,88x2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD.

Эффективное использование низковольтных харвестеров энергии

Для питания инновационных IoT-устройств все шире используются различные харвестеры энергии. Однако работа с ними зачастую представляет проблему. В качестве примера можно привести встраиваемые в одежду низковольтные термоэлектрические генераторы. Данная статья посвящена новому типу MOSFET-транзисторов, которые предназначены специально для работы со сверхнизкими напряжениями.

Когда и почему выходят из строя MOSFET?
| On Semiconductor

Высокие температуры и другие параметры эксплуатационной среды, превышающие пределы безопасной работы, могут привести к выходу из строя полевых транзисторов, используемых в коммутационных цепях. В статье рассматриваются несколько базовых принципов, которые позволяют избежать повреждения MOSFET.

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

Сравнение позиций

  • ()