Новости по тегу HEMT-транзисторы, страница 1 из 1

Снизить потери энергии: гетероструктурные полевые транзисторы CoolGaN™ от Infineon

Применение HEMT-транзисторов CoolGaN™ от Infineon позволяет достичь КПД преобразователей в 99% и плотности энергии 24 Вт/дюйм3 для выпрямителей и 160 Вт/дюйм3 для резонансных LLC-преобразователей.

Сравнение позиций

  • ()