Новости по тегу GaN, страница 1 из 2

GaN-транзисторы. Путь к высокой эффективности в высоковольтных приложениях. Глава 2

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей в высоковольтных приложениях.

Оценочная плата полумоста на базе транзисторов семейства CoolGaN™

Оценочная плата полумоста на основе 600 В нитрид-галлиевых GaN транзисторов и специальной микросхемы изолированного драйвера затвора GaN EiceDRIVER. Изделие  обеспечивает простую и быструю настройку и тестирование возможностей семейства транзисторов CoolGaN.

Полномостовой высокоэффективный 2500 Вт PFC от Infineon

Оценочная плата полномостового CCM тотемно-полюсного 2500 Вт корректора коэффициента мощности с эффективностью более 99%, разработанного на основе нитрид галлиевых CoolGaN 600 В e-mode HEMT и CoolMOS SJ MOSFET транзисторов, ICE3 PFC контроллера в сочетании с драйверами 1EDi HV MOSFET. Плата демонстрирует высокую эффективность каскада PFC, в котором используется Infineon CoolGaN технология. Решение предназначено для таких критически важных приложений как сервера или выпрямители источников питания телекоммуникационных систем и может служить в качестве референс-дизайна.

GaN-транзисторы. Новая страница в истории силовых схем. Глава 1

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи.

Преимущества интеграции GaN-транзистора и драйвера в одной микросхеме. Часть 2

Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Преимущества интеграции GaN-транзистора и драйвера в одной микросхеме. Часть 1

Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Полевые транзисторы eGaN® позволяют достичь в резонансном LLC-конвертере 48…12 В КПД выше 98%

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

Использование eGaN-транзисторов для построения источников питания. Часть 2: DC/DC-преобразователь 12/1 В на базе EPC2111 и модулей EPC9204

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.

Использование eGaN-транзисторов в медицинской технике

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 3

Данная статья является заключительной частью перевода руководства «APPLICATION NOTE: AN027 eGaN FETs for Lidar – Getting the Most Out of the EPC9126 Laser Driver Getting the Most» от компании epc. В ней рассматриваются особенности референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Руководство по электромагнитной совместимости в DC-DC-преобразователях. Часть 1: стандарты и измерения

Данная статья является первой в цикле публикаций, посвященных вопросам ЭМС в промышленном и автомобильном оборудовании. В ней дается краткое описание используемых методов измерений. Так же в статье рассматривается схема измерений кондуктивных помех, которая включает эквивалент сети и приемник электромагнитного излучения (ЭМИ).

Использование eGaN-транзисторов в лидарах. Часть 2

В статье рассматривается алгоритм расчета параметров и компонентов лазерного драйвера, анализируются составляющие паразитной индуктивности, приводятся результаты испытаний референсных драйверов EPC9126 и EPC9126HC.

Изоляция – неотъемлемый компонент систем управления движением в робототехнике

Статья создана при поддержке компаний Digi-Key и Analog Devices и призвана показать простые пути устранения нежелательных наводок между входами и выходами устройств управления двигателями при помощи внедрения в их конструкцию цепей изоляции.

Основные преимущества использования GaN-транзисторов в источниках питания

Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.

Преимущества SiC и GaN в автомобильных приложениях

Автомобильные SiC-диоды и МОП-транзисторы сейчас становятся нормой для автомобильной отрасли, где они позволяют значительно снизить потери мощности и повысить эффективность. Новые GaN-транзисторы с улучшенной архитектурой обеспечивают очень высокое быстродействие и КПД до 98%.

Силовые GaN-транзисторы: преимущества, рекомендации по использованию

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Новые драйверы GaN-транзисторов от Texas Instruments

Недавно компания Texas Instruments выпустила новые драйверы LMG1020 и LMG1210, способные работать на частотах 50 МГц и 60 МГц, соответственно. Важными достоинствами LMG1210 являются низкие задержки распространения управляющих сигналов 10 нс и отличное согласование задержек между верхним и нижним каналами – не хуже 1,5 нс, что позволяет выбирать минимально возможную длительность мертвого времени, и как следствие, увеличивать КПД полумостового преобразователя на 5%.

Нитрид-галлиевые силовые ключи и платформа All-Switch от VisIC Technologies (Application note AN01V650)

В данной статье рассматриваются характеристики и особенности корпусных исполнений силовых GaN-модулей от VisIC. Особый акцент делается на применение GaN-технологии для высоковольтных, высокомощных и высокочастотных приложений.

Нитрид галлия для всех. Обзор отладочных и оценочных наборов от EPC. Часть II

Данная статья является второй в цикле публикаций, посвященных средствам разработки от EPC, на этот раз речь пойдет об оценочных наборах, которые представляют собой законченные функциональные устройства.

Нитрид галлия для всех. Обзор отладочных и оценочных наборов от EPC. Часть I

Компания EPC является одним из лидеров в области производства нитрид-галлиевых транзисторов. В настоящий момент eGaN-ключи от EPC по многим показателям превосходят кремниевые транзисторы, поэтому интерес к ним со стороны разработчиков все время возрастает. Чтобы упростить жизнь пользователям при внедрении eGaN-ключей, EPC предлагает более пятидесяти различных отладочных и оценочных наборов. В первой статье данного цикла – краткий обзор всех доступных отладочных наборов от EPC.

Сравнение позиций

  • ()