Новости Transphorm, страница 1 из 1

Использование ферритовых фильтров и помехоподавляющих RC-цепочек при параллельном включении GaN-транзисторов в мощных преобразователях
| Transphorm

Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. В данной статье предлагается решение проблемы параллельного включения GaN-транзисторов в мостовых преобразователях с использованием ферритовых фильтров и /или RC-демпферов и обсуждаются особенности драйверов для GaN-транзисторов.

Разработка моста для режима жестких переключений на нитрид-галлиевых транзисторах TRANSPHORM
| Transphorm

Компания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке мощные каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%. Вяче

Каскодный нитрид-галлиевый полевой транзистор TPH3205WSB
| Transphorm

Нитрид-галлиевый (GaN) каскодный полевой транзистор TPH3205WSB в трехвыводном корпусе TO-247 обеспечивает высокую эффективность благодаря меньшему заряду затвора, более высоким скоростям переключения и меньшему заряду обратного восстановления, что дает значительные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

GaN-транзисторы от Transphorm в деле: высокоэффективный 3,5 кВт преобразователь с рабочей частотой до 100 кГц
| Transphorm

В конце 2015 года компания Transphorm начала производство второго поколения нитрид-галлиевых транзисторов с рабочим напряжением 650 В. Эти силовые ключи выполнены по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода. Преимущества транзисторов от Transphorm были неоднократно доказаны на практике. В данной статье рассказывается о демонстрационном полумостовом преобразователе TDPS3500E0E10 мощностью 3,5 кВт и рабочей частотой до 100 кГц.

Демонстрационные наборы для GaN-транзисторов Transphorm
| Transphorm

Компания Transphorm выпускает нитрид-галлиевые ключи для высоковольтных мощных приложений. Эти ключи выполнены по каскадной схеме, в которой объединены классический низковольтный кремниевый MOSFET и высоковольтный GaN-транзистор. Такая комбинация отличается минимальными потерями при переключениях и сохраняет простоту управления. Преимущества GaN-ключей Transphorm можно оценить с помощью фирменных демонстрационных наборов, реализованных в виде популярных мощных устройств.

Высоковольтные быстродействующие нитрид-галлиевые транзисторы с малыми потерями от Transphorm
| Transphorm

Поиск новых материалов для полупроводниковых компонентов – важная задача для современной электроники. Одним из наиболее перспективных материалов для создания силовых транзисторов является нитрид галлия. Компания Transphorm производит высоковольтные 650 В GaN-ключи, выполненные по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода.