Дискретные полупроводники для IoT-устройств, автомобильной и портативной электроники

В статье дается обзор восьми дискретных компонентов, отвечающих самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений
643
В избранное

Перед вами восемь дискретных компонентов, которые отвечают самым высоким требованиям, характерным для многих современных быстроразвивающихся приложений. 

Современные дискретные компоненты обладают малыми размерами и, в то же время, высокими эффективностью и скоростью работы. Они уже используются в большинстве популярных приложений, и оптимизированы для применения в портативных устройствах с коротким производственным циклом, в автомобильных приложениях и новых приложениях интернета вещей (IoT), которых еще несколько лет назад просто не существовало. Вот восемь дискретных компонентов, предназначенных для использования в вышеперечисленных быстрорастущих отраслевых сегментах.

Серия R60xxJNx 600-В Superjunction MOSFET от ROHM

Недавно компания Rohm анонсировала 30 новых Superjunction МОП-транзисторов серии R60xxJNx, расширяющих серию PrestoMOS (рисунок 1). МОП-транзисторы, предоставляющие разработчикам гибкость и самое быстрое в отрасли время обратного восстановления (trr), оптимизированы для применения на станциях зарядки электромобилей (EV), в экономичных транспортных средствах, в центрах обработки данных облачных вычислений, в приложениях для домашнего использования с электроприводом, для работы с ветровой и солнечной энергией.

МОП-транзисторы Rohm 600-V

Рис. 1. МОП-транзисторы Rohm 600-V обеспечивают функции предотвращения сбоев и имеют самое быстрое в отрасли время обратного восстановления

Учитывая сверхбыстрое время восстановления серии, компания Rohm утверждает, что потери мощности снижены примерно на 58%, по сравнению с другими MOP-транзисторами, имеющими биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). В серии R60xxJNx повышено опорное напряжение, необходимое для включения МОП-транзистора, что предотвращает самопроизвольное включение, являющееся одной из основных причин поломки. В новой серии также улучшен на 30% показатель мягкого восстановления, характерный для Superjunction МОП-транзисторов, что важно в снижении уровня шума, вызывающего сбои.

IGBT 650-В с антипараллельным диодом от Infineon

Высокоскоростной мягко коммутируемый IGBT Infineon IKP28N65ES5 TRENCHSTOP-5 с быстрым антипараллельным диодом семейства RAPID 1, имеющим максимальный номинальный ток с мягким характером восстановления, разработан для использования в таких приложениях, где управление шумом электромагнитных помех имеет решающее значение (рисунок 2). Например, в промышленноемотоплении и сварке, солнечных энергетических системах, источниках бесперебойного питания и быстрой зарядке электромобилей.

IGBT Infineon 650-V имеет малые габариты и при этом обеспечивает высокие эффективность и плотность мощности

Рис. 2. IGBT Infineon 650-V имеет малые габариты и при этом обеспечивает высокие эффективность и плотность мощности

Компания Infineon утверждает, что размещенный в компактном корпусе TO-220 IGBT обеспечивает высочайшие эффективность и плотность мощности в приложениях с 10…40 кГц, и тем самым ускоряет их выход на рынок. Разработчики могут упростить схемотехнику, снизить затраты на техническое обслуживание и исключить элемент зажима затвора. С IKP28N65ES5 также нет риска нежелательного включения устройства. Его дополнительные преимущества: очень низкое VCEsat - 1,5 В при 25°C, импульсный ток 4×Ic (при Tc 100°C), максимальная температура перехода - 175°C и соответствие стандартам JEDEC.

Infineon также предлагает 650-В устройства TRENCHSTOP IGBT6 с частотой переключения 5…30 кГц.

Высокочастотный IGBT 40-A STGWA40HP65FB2 650 В от STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics сделала шаг в сторону повышения скорости благодаря своему первому устройству 650-V в новой серии HB2. Средне- и высокоскоростной IGBT 40-A STGWA40HP65FB2 имеет низкий уровень заряда затвора, что означает более быстрое переключение при меньшем токе затвора. Данный IGBT, разработанный с использованием технологии Tches Field-Stop (TFS), подходит для таких применений как коррекция коэффициента мощности (PFC), автомобилестроение, сварка, солнечные инверторы и источники бесперебойного питания. Устройство оснащено защитным диодом и оптимизировано для переключения частот между 16 и 60 кГц, совместимо с автомобильным стандартом AEC-Q101 Rev.D. В число его функций также входит минимизированный «токовый хвост», малое тепловое сопротивление и положительный температурный коэффициент VCEsat (рисунок 3).

Улучшенные тепловые характеристики серии HB2 повышают уровень надежности и плотности мощности

Рис. 3. Улучшенные тепловые характеристики серии HB2 повышают уровень надежности и плотности мощности

STMicroelectronics утверждает, что STGWA40HP65FB2 обеспечивает самую высокую плотность мощности, доступную в корпусе TO-220. Это устраняет необходимость в элементах зажимов затвора и обеспечивает хорошую электромагнитную совместимость. Также доступна версия 40-A в корпусе TO-247 с удлиненными выводами с тремя вариантами диодов. Компания сообщает, что в настоящее время разрабатывается полное семейство продуктов 15…100 A.

SiC 700-V MOSFET и 1200 В-барьерные диоды Шоттки от Microchip

MOSFET из карбида кремния (SiC) блокируют примерно в 10 раз большее напряжение по сравнению с кремниевыми устройствами, повышают эффективность системы и обеспечивают более высокую плотность мощности. Компания Microchip только что расширила линейку своих SiC-устройства, включив 700-вольтовые SiC MOSFET, 700-В и 1200-В SiC барьерные диоды Шоттки (SBD). Они предназначены для приложений большой мощности, таких как электромобили, в том числе - встроенные зарядные устройства и внешние зарядные станции, DC/DC-преобразователи, а также трансмиссия/контроль тяги (рисунок 4).

Результаты испытаний подтверждают прочность, надежность и высокую производительность SiC MOSFET Microchip

Рис. 4. Результаты испытаний подтверждают прочность, надежность и высокую производительность SiC MOSFET Microchip

Согласно заявлениям Microchip, новые SiC MOSFET и SBD показывают улучшенную эффективность переключения на высоких частотах. Доказано, что прочные и надежные SBD обеспечивают рост производительности на 20% по сравнению с другими SiC-диодами в испытаниях на прочность с отключенным индуктивным переключением (UIS). Эти испытания показывают данные по деградации и преждевременному отказу, если всплеск напряжения превышает напряжение пробоя. Microchip утверждает, что их SiC MOSFET превосходят альтернативные устройства в данных тестах, и даже после 100 000 циклов повторного тестирования UIS показывают превосходную оксидную защиту затвора и целостность канала с незначительным уменьшением срока службы.

Microchip помогает проектировщикам разрабатывать эффективные проекты благодаря комплексной поддержке в виде сервисов, инструментов разработки и наличия эталонных схем.

Биполярные транзисторы DXTN07x от Diodes

При размере 3,3×3,3×0,8 мм новые семейства биполярных транзисторов (BJT) NPN и PNP DXTN07x производства компании Diodes Inc. обеспечивает высокую плотность мощности для приложений, требующих до 100 В и 3 А. Если размер для вас является основным фактором, то обратите внимание, что корпус поверхностного монтажа PowerDI3333 занимает на 70% меньше места на печатной плате, чем традиционные малоразмерные транзисторы (SOT223), и увеличивает пропускную способность печатной платы со смачиваемыми фланцами для высокоскоростного автоматического оптического контроля (AOI) паяных соединений.

Транзисторы NPN и PNP предназначены для выполнения линейного или LDO-регулирования, управления затворами MOSFET или IGBT, а также нагрузочных переключателей для различных промышленных и бытовых применений. Семейство устройств обеспечивает общую мощность рассеивания 2 Вт и рассчитано на 175°C для использования в условиях высокой температуры.

Выпрямители FRED Pt Gen 5 1200 В Hyperfast и Ultrafast от Vishay

Компания Vishay, обращая внимание на такие приложения как зарядные станции EV/HEV, усилители солнечных батарей и ИБП, утверждает, что семейства выпрямителей FRED PtGen 5 1200-В Hyperfast и Ultrafast подходят для высокочастотных преобразователей с мягким и резонансным типами переключений (рисунок 5). Vishay разработала выпрямитель для уменьшения потерь проводимости и коммутации при использовании с MOSFET и высокоскоростными IGBT.

Выпрямители FRED PtGen 5 1200-В Hyperfast и Ultrafast произсодства Vishay

Рис. 5. Выпрямители FRED PtGen 5 1200-В Hyperfast и Ultrafast произсодства Vishay

Шесть последних моделей выпрямителей Hyperfast и Ultrafast являются последним дополнением в данном семействе. Выпрямители обеспечивают потери на 10% ниже, чем другие кремниевые устройства, уменьшая основное преимущество SiC-диодов, и являются экономически эффективным решением для применений в диапазоне 50 кГц.

Оба новых выпрямителя на 30 и 60 А доступны в корпусе TO-247L в классах скорости X-type Hyperfast и H-type Ultrafast. Выпрямители X-type имеют более низкий заряд обратного восстановления (QRR), а устройства H-типа имеют более низкое прямое напряжение (VF). Устройства 30 А выпускаются также в корпусе TO-220AC.

SiC МОП-транзисторы NTHL080N120SC1 и NVHL080N120SC1 от ON Semiconductor

Компания ON Semiconductor выпустила на рынок два семейства SiC MOSFET: NTHL080N120SC1 промышленного класса и NVHL080N120SC1 AEC-Q101-совместимого автомобильного класса (рисунок 6). Два надежных МОП-транзистора с напряжением 1200 В и 80 мОм предназначены для проектирования высокочастотных компонентов для автомобильных DC/DC-преобразователей и встроенных зарядных устройств для электромобилей, солнечных батарей, источников бесперебойного питания и серверов в центрах обработки данных.

SiC МОП-транзисторы ON Semiconductor

Рис. 7. SiC МОП-транзисторы ON Semiconductor сочетают в себе возможность работы на высоких частотах и уменьшенное управление температурным режимом

Данные МОП-транзисторы предназначены для приложений, в которых нехватка места обычно приводит к большим температурным нагрузкам. Они оба обеспечивают высокий уровень удельной мощности, высокую эффективность работы и уменьшенное управление температурным режимом. SiC МОП-транзисторы имеют уникальную запатентованную структуру для повышения надежности, прочности и стабильности работы. Также они характеризуются самым низким в своем классе током утечки, наличием быстрого диода с низким зарядом обратного восстановления, высокой плотностью мощности, быстрым включением и выключением и пониженным уровнем электромагнитных помех.

Ограничитель напряжения AOZ8661BDT-05 от Alpha and Omega Semiconductor

Компания Alpha and Omega Semiconductor Ltd. представила TVS-диод AOZ8661BDT-05 для снижения частоты отказов из-за электростатического разряда (ESD). Решение обеспечивает высокоскоростную защиту линии для таких приложений USB Type-C как ноутбуки и мобильные устройства. Компания утверждает, что ее новая платформа Super Low Cap TVS обеспечивает гораздо лучшую добротность (FOM) при ограничении фиксированного напряжения, умноженного на емкость. TVS имеет емкость 0,15 пФ и оптимален для разработчиков, которым требуется высокоскоростная линейная защита для USB3.1 Gen2, USB3.2 и Thunderbolt 3.0. Он размещен в бессвинцовом корпусе 0,6×0,3 мм для поверхностного монтажа и подходит для небольших габаритов разъема USB Type-C.

Источник: www.electronicproducts.com

Производитель: DIODES ZETEX
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
DXTN07100BP5-13
DXTN07100BP5-13
DIODES ZETEX
Арт.: 2439761 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
DXTN07100BP5-13
-
Поиск
предложений
Производитель: Microsemi
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
MSC050SDA070B
Microsemi
Арт.: 3210556
Поиск
предложений
MSC050SDA070B
-
Поиск
предложений
Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IKP28N65ES5XKSA1
IKP28N65ES5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3211157 ИНФО
Доступно: 411 шт. от 1 шт. от 158,57
Выбрать
условия
поставки
IGBT, 650V, 38A, 175DEG C, 130W
IKP28N65ES5XKSA1 от 1 шт. от 158,57
411 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
Производитель: Alpha and Omega Semiconductor
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
AOZ8661BDT-05
Alpha and Omega Semiconductor
Арт.: 3416180
Поиск
предложений
AOZ8661BDT-05
-
Поиск
предложений
Производитель: On Semiconductor
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
NTHL080N120SC1
NTHL080N120SC1
On Semiconductor
Арт.: 3416182 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET, N-CH, 44A, 1.2KV, TO-247
NTHL080N120SC1
-
Поиск
предложений
NVHL080N120SC1
NVHL080N120SC1
On Semiconductor
Арт.: 3416183 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 1.2KV, TO-247
NVHL080N120SC1
-
Поиск
предложений
Производитель: STMicroelectronics
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
STGWA40HP65FB2
STGWA40HP65FB2
STMicroelectronics
Арт.: 3416184 ИНФО
Доступно: 181 шт. от 1 шт. от 357,58
Выбрать
условия
поставки
IGBT, SINGLE, 650V, 72A, TO-247-3
STGWA40HP65FB2 от 1 шт. от 357,58
181 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
Производитель: ROHM Co., Ltd.
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
R6030JNZ4C13
R6030JNZ4C13
ROHM Co., Ltd.
Арт.: 3416185 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET, N-CH, 30A, 600V, TO-247
R6030JNZ4C13
-
Поиск
предложений
R6007JNJGTL
R6007JNJGTL
ROHM Co., Ltd.
Арт.: 3416186 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET, N-CH, 7A, 600V, TO-263S
R6007JNJGTL
-
Поиск
предложений
Производитель: Microchip Technology Inc.
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
MSC015SMA070B
Microchip Technology Inc.
Арт.: 3416190
Поиск
предложений
MSC015SMA070B
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()