SiC

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Сейчас Infineon предлагает пятое поколение SiC-диодов и в ближайшем будущем готовит к выпуску первые широкозонные SiC MOSFET. Огромный опыт Infineon, накопленный при производстве кремниевых устройств, позволяет компании предлагать широкий спектр оптимизированных силовых компонентов – от кремниевых и гибридных устройств до специализированных решений с большой шириной запрещенной зоны.
2021
В избранное

infineonКарбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

В течение нескольких последних лет отмечаются повышенные темпы роста инвестиций в разработку альтернативных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Последовательное снижение стоимости производства SiC-транзисторов сигнализирует о наступлении переломного момента, когда силовые SiC-полупроводники могут быть успешно запущенны в массовое производство и внедрены в электронные устройства разнообразных областей применения. Снижение стоимости и растущая доступность SiC привели к возобновлению спроса со стороны разработчиков силовой электроники, находящихся под давлением законодательных и коммерческих требований, связанных с повышением энергоэффективности и ожиданиями снижения стоимости.

Мощные и высоковольтные силовые преобразователи хуже поддаются миниатюризации по сравнению с компонентами других типов. Это связано с необходимостью рассеивания тепла, что является более сложной задачей для компактных схем с повышенной плотностью выделяемой мощности. Внедрение в силовую электронику SiC-компонентов, дающих увеличение удельной мощности и эффективности, делает устройства на основе карбида кремния реальными претендентами на снятие ограничений, связанных с кремниевыми MOSFET, IGBT и диодами.

Эффективность, удельная мощность и снижение стоимости системы являются основными движущими факторами для внедрения альтернативных полупроводниковых материалов, таких как SiC и GaN, в производство силовых диодов и транзисторов. В некоторых областях внедрение новой технологии начинается сразу, как только выгоды перевешивают риски. В других областях переход на новую технологию происходит, когда соотношение «цена-производительность» становится достаточно привлекательным. Например, гибридные силовые модули, использующие кремниевые IGBT и диоды Шоттки на основе SiC, уже давно стали базовым решением в преобразователях солнечной энергии с высокими частотами переключения.

Тот факт, что SiC не может во всем заменить кремний, является одной из причин, препятствующих распространению карбида кремния. До недавнего времени существовали и сомнения разработчиков в качестве самого материала.

Инверторы для солнечных панелей и повышающие преобразователи уже давно используют преимущества, которые дает технология SiC MOSFET. В том же направлении следуют источники бесперебойного питания (UPS) и зарядные устройства. Такие устройства силовой электроники, как приводы электродвигателей и автомобильные приложения, которые в настоящее время ориентированы на кремниевые элементы, неизбежно ожидает масштабное внедрение новых материалов.

Технологический скачок, как и любой новый тренд, имеет плюсы и минусы. Множество производителей вышло на рынок SiC-подложек, что привело к увеличению производства и снижению стоимости из-за возникающей конкуренции. Рост инвестиций в научные исследования и конструкторские разработки вызывает ощутимые улучшения в области качества и надежности. Ожидается, что переход в ближайшие годы с 4-дюймовых на 6-дюймовые и, наконец, 8-дюймовые SiC-пластины значительно снизит издержки, а качество улучшится. Результатом этого станет увеличение производительности, что в свою очередь должно привести к перелому в использовании SiC даже в приложениях, чувствительных к стоимости.

Различие по качеству и цене продукции между производителями SiC-компонентов достаточно велико. Некоторые из них являются новыми и непроверенными «нишевыми» игроками рынка, вынужденными объединяться, чтобы выжить. Другие – хорошо зарекомендовавшие себя компании-поставщики полупроводников, способные выпускать большие объемы продукции с обеспечением строгого контроля производственных процессов и уровня качества. Прежде чем начать широкое внедрение новой технологии, клиенты должны быть уверены, что выбранный ими поставщик полупроводников сможет обеспечить бесперебойное снабжение высококачественной продукцией, а также увеличивать поставки по мере роста спроса.

Очевидно, что для того, чтобы завоевать доверие рынка, производители силовых SiC-полупроводников должны сформировать у потребителей непоколебимую уверенность в надежности своей продукции за счет предоставления достоверной информации о ее характеристиках, наличия термоустойчивых корпусных исполнений и надежных производственных баз. Если этого удастся достичь, SiC-компоненты станут действительно популярными. Пользователи, желающие внедрить SiC в свои проекты и сделать важный шаг в мире интеллектуальной силовой электроники, должны будут сотрудничать с опытным и надежным производителем, который способен поставлять продукты для соответствующих приложений. Вместе они будут стремиться к гарантированному высокому объему производства, а также к обеспечению высочайших стандартов качества продукции.

Еще в 2001 году, будучи пионером в области коммерческого использования SiC-технологий, Infineon стал первой в мире компанией, представившей на рынке диоды на основе SiC. Затем в 2006 году последовало внедрение коммерческих силовых модулей, содержащих SiC-компоненты. Сейчас Infineon предлагает пятое поколение SiC-диодов и в ближайшем будущем готовит к выпуску первые широкозонные SiC MOSFET. Огромный опыт Infineon, накопленный при производстве кремниевых устройств, позволяет компании предлагать клиентам широкий спектр оптимизированных силовых компонентов – от кремниевых и гибридных устройств до специализированных решений с большой шириной запрещенной зоны.

Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IDD04SG60C
IDD04SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342076 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD04SG60C
-
Поиск
предложений
IDD06SG60C
IDD06SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342081 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD06SG60C
-
Поиск
предложений
IDD10SG60C
IDD10SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342086 ИНФО PDF
Доступно: 6193 шт.
Выбрать
условия
поставки
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD10SG60C от 2 шт. от 916,28
6193 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDD03SG60CXTMA1
IDD03SG60CXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1183191 ИНФО PDF
Доступно: 4677 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDD03SG60CXTMA1 от 8 шт. от 200,15
4677 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH12SG60CXKSA1
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1370624 ИНФО PDF AN OBS
Доступно: 26 шт.
Выбрать
условия
поставки
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDH12SG60CXKSA1 от 2 шт. от 800,63
26 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH05S120AKSA1
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1933701 ИНФО PDF OBS
Доступно: 100 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH05S120AKSA1 от 5 шт. от 832,99
100 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH02G120C5XKSA1
IDH02G120C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114242 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 9419 шт.
Выбрать
условия
поставки
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
IDH02G120C5XKSA1 от 296,37
9419 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH02SG120XKSA1
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114244 ИНФО PDF OBS
Доступно: 270 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH02SG120XKSA1 от 16 шт. от 225,88
270 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH03G65C5XKSA1
IDH03G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114245 ИНФО PDF RND
Доступно: 5786 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH03G65C5XKSA1 от 5 шт. от 320,05
5786 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH03SG60CXKSA1
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114246 ИНФО PDF
Доступно: 1052 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDH03SG60CXKSA1 от 5 шт. от 323,72
1052 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH04G65C5XKSA1
IDH04G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114247 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 36 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH04G65C5XKSA1 от 9 шт. от 182,50
36 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH04SG60CXKSA1
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114249 ИНФО PDF
Доступно: 467 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDH04SG60CXKSA1 от 4 шт. от 433,45
467 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH05G65C5XKSA1
IDH05G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114251 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH05G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH08G65C5XKSA1
IDH08G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114257 ИНФО PDF RND
Доступно: 264 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH08G65C5XKSA1 от 2 шт. от 740,72
264 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH08S120AKSA1
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114258 ИНФО PDF OBS
Доступно: 1150 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH08S120AKSA1 от 1488,73
1150 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH08S60CAKSA1
IDH08S60CAKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114259 PDF NRND
Доступно: 1245 шт. от: 110 руб.
Silicon Carbide (SiC), The second generation of Infineon SiC Schottky diodes has emerged over the years as the industry standard. The low V f v…
IDH08S60CAKSA1 от 110,00 от 14 шт. 110,00 от 30 шт. 110,00 от 65 шт. 110,00 от 171 шт. 110,00
281 шт.
(на складе)
964 шт.
(под заказ)
IDH10G65C5XKSA1
IDH10G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114264 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 1328 шт.
Выбрать
условия
поставки
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH10G65C5XKSA1 от 4 шт. от 466,40
1328 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH12G65C5XKSA1
IDH12G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114268 PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH12G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH06G65C6XKSA1
IDH06G65C6XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2304413 ИНФО PDF
Доступно: 5737 шт. от: 234 руб.
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH06G65C6XKSA1 от 234,00 от 17 шт. 200,00 от 38 шт. 180,00 от 81 шт. 167,00 от 200 шт. 159,00
237 шт.
(на складе)
5500 шт.
(под заказ)
IDH08G65C6XKSA1
IDH08G65C6XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2304415 ИНФО PDF
Доступно: 6520 шт. от: 290 руб.
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH08G65C6XKSA1 от 290,00 от 14 шт. 249,00 от 30 шт. 224,00 от 65 шт. 207,00 от 150 шт. 197,00
500 шт.
(на складе)
6020 шт.
(под заказ)

Сравнение позиций

  • ()