SiC

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Сейчас Infineon предлагает пятое поколение SiC-диодов и в ближайшем будущем готовит к выпуску первые широкозонные SiC MOSFET. Огромный опыт Infineon, накопленный при производстве кремниевых устройств, позволяет компании предлагать широкий спектр оптимизированных силовых компонентов – от кремниевых и гибридных устройств до специализированных решений с большой шириной запрещенной зоны.
2695
В избранное

infineonКарбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как некогда стояла в авангарде этой технологии, когда она только появилась.

В течение нескольких последних лет отмечаются повышенные темпы роста инвестиций в разработку альтернативных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Последовательное снижение стоимости производства SiC-транзисторов сигнализирует о наступлении переломного момента, когда силовые SiC-полупроводники могут быть успешно запущенны в массовое производство и внедрены в электронные устройства разнообразных областей применения. Снижение стоимости и растущая доступность SiC привели к возобновлению спроса со стороны разработчиков силовой электроники, находящихся под давлением законодательных и коммерческих требований, связанных с повышением энергоэффективности и ожиданиями снижения стоимости.

Мощные и высоковольтные силовые преобразователи хуже поддаются миниатюризации по сравнению с компонентами других типов. Это связано с необходимостью рассеивания тепла, что является более сложной задачей для компактных схем с повышенной плотностью выделяемой мощности. Внедрение в силовую электронику SiC-компонентов, дающих увеличение удельной мощности и эффективности, делает устройства на основе карбида кремния реальными претендентами на снятие ограничений, связанных с кремниевыми MOSFET, IGBT и диодами.

Эффективность, удельная мощность и снижение стоимости системы являются основными движущими факторами для внедрения альтернативных полупроводниковых материалов, таких как SiC и GaN, в производство силовых диодов и транзисторов. В некоторых областях внедрение новой технологии начинается сразу, как только выгоды перевешивают риски. В других областях переход на новую технологию происходит, когда соотношение «цена-производительность» становится достаточно привлекательным. Например, гибридные силовые модули, использующие кремниевые IGBT и диоды Шоттки на основе SiC, уже давно стали базовым решением в преобразователях солнечной энергии с высокими частотами переключения.

Тот факт, что SiC не может во всем заменить кремний, является одной из причин, препятствующих распространению карбида кремния. До недавнего времени существовали и сомнения разработчиков в качестве самого материала.

Инверторы для солнечных панелей и повышающие преобразователи уже давно используют преимущества, которые дает технология SiC MOSFET. В том же направлении следуют источники бесперебойного питания (UPS) и зарядные устройства. Такие устройства силовой электроники, как приводы электродвигателей и автомобильные приложения, которые в настоящее время ориентированы на кремниевые элементы, неизбежно ожидает масштабное внедрение новых материалов.

Технологический скачок, как и любой новый тренд, имеет плюсы и минусы. Множество производителей вышло на рынок SiC-подложек, что привело к увеличению производства и снижению стоимости из-за возникающей конкуренции. Рост инвестиций в научные исследования и конструкторские разработки вызывает ощутимые улучшения в области качества и надежности. Ожидается, что переход в ближайшие годы с 4-дюймовых на 6-дюймовые и, наконец, 8-дюймовые SiC-пластины значительно снизит издержки, а качество улучшится. Результатом этого станет увеличение производительности, что в свою очередь должно привести к перелому в использовании SiC даже в приложениях, чувствительных к стоимости.

Различие по качеству и цене продукции между производителями SiC-компонентов достаточно велико. Некоторые из них являются новыми и непроверенными «нишевыми» игроками рынка, вынужденными объединяться, чтобы выжить. Другие – хорошо зарекомендовавшие себя компании-поставщики полупроводников, способные выпускать большие объемы продукции с обеспечением строгого контроля производственных процессов и уровня качества. Прежде чем начать широкое внедрение новой технологии, клиенты должны быть уверены, что выбранный ими поставщик полупроводников сможет обеспечить бесперебойное снабжение высококачественной продукцией, а также увеличивать поставки по мере роста спроса.

Очевидно, что для того, чтобы завоевать доверие рынка, производители силовых SiC-полупроводников должны сформировать у потребителей непоколебимую уверенность в надежности своей продукции за счет предоставления достоверной информации о ее характеристиках, наличия термоустойчивых корпусных исполнений и надежных производственных баз. Если этого удастся достичь, SiC-компоненты станут действительно популярными. Пользователи, желающие внедрить SiC в свои проекты и сделать важный шаг в мире интеллектуальной силовой электроники, должны будут сотрудничать с опытным и надежным производителем, который способен поставлять продукты для соответствующих приложений. Вместе они будут стремиться к гарантированному высокому объему производства, а также к обеспечению высочайших стандартов качества продукции.

Еще в 2001 году, будучи пионером в области коммерческого использования SiC-технологий, Infineon стал первой в мире компанией, представившей на рынке диоды на основе SiC. Затем в 2006 году последовало внедрение коммерческих силовых модулей, содержащих SiC-компоненты. Сейчас Infineon предлагает пятое поколение SiC-диодов и в ближайшем будущем готовит к выпуску первые широкозонные SiC MOSFET. Огромный опыт Infineon, накопленный при производстве кремниевых устройств, позволяет компании предлагать клиентам широкий спектр оптимизированных силовых компонентов – от кремниевых и гибридных устройств до специализированных решений с большой шириной запрещенной зоны.

Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IDD04SG60C
IDD04SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342076 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD04SG60C
-
Поиск
предложений
IDD06SG60C
IDD06SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342081 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD06SG60C
-
Поиск
предложений
IDD10SG60C
IDD10SG60C
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 342086 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDD10SG60C
-
Поиск
предложений
IDD03SG60CXTMA1
IDD03SG60CXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1183191 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDD03SG60CXTMA1
-
Поиск
предложений
IDH12SG60CXKSA1
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1370624 ИНФО PDF AN OBS
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
IDH12SG60CXKSA1
-
Поиск
предложений
IDH05S120AKSA1
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 1933701 ИНФО PDF OBS
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH05S120AKSA1
-
Поиск
предложений
IDH02G120C5XKSA1
IDH02G120C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114242 ИНФО PDF AN RND
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
IDH02G120C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH02SG120XKSA1
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114244 ИНФО PDF OBS
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH02SG120XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH03G65C5XKSA1
IDH03G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114245 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH03G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH03SG60CXKSA1
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114246 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDH03SG60CXKSA1
-
Поиск
предложений
IDH04G65C5XKSA1
IDH04G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114247 ИНФО PDF AN RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH04G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH04SG60CXKSA1
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114249 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given cur…
IDH04SG60CXKSA1
-
Поиск
предложений
IDH05G65C5XKSA1
IDH05G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114251 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH05G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH08G65C5XKSA1
IDH08G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114257 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH08G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH08S120AKSA1
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114258 ИНФО PDF OBS
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The 1200V is the highest voltage family of Infineon SiC Schottky discrete diodes and is now being extended with the TO-2…
IDH08S120AKSA1
-
Поиск
предложений
IDH08S60CAKSA1
IDH08S60CAKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114259 ИНФО PDF NRND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), The second generation of Infineon SiC Schottky diodes has emerged over the years as the industry standard. The low V f v…
IDH08S60CAKSA1
-
Поиск
предложений
IDH10G65C5XKSA1
IDH10G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114264 ИНФО PDF AN RND
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH10G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH12G65C5XKSA1
IDH12G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114268 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH12G65C5XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH06G65C6XKSA1
IDH06G65C6XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2304413 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH06G65C6XKSA1
-
Поиск
предложений
IDH08G65C6XKSA1
IDH08G65C6XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2304415 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
IDH08G65C6XKSA1
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()