Разработка моста для режима жестких переключений на нитрид-галлиевых транзисторах TRANSPHORM

| Transphorm

1. Инверторы мощностью 4,5 кВт, изготовленные с использованием кремниевых и GaN-транзисторовКомпания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%.

Читать статью on-line

Скачать статью в формате PDF (2,9 МБ)

Журнал: Новости электроники за 2017, №5, стр. 32-40
Производитель: Transphorm
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
TPH3207WS
TPH3207WS
Transphorm
Арт.: 2119303 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
GaN-транзисторы с рабочим напряжением 650 В в корпусе TO-247 c типовым значением сопротивления канала всего 35 мОм, коммутация импульсной токовой нагрузки до 220 А.
TPH3207WS
-
Поиск
предложений
TPH3212PS
TPH3212PS
Transphorm
Арт.: 2263118 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Key Specifications VDS (V) min650 VTDS (V) max800 RDS(on) (m?) max*85 Qrr (nC) typ90 Qg (nC) typ14 Key Features Easy to drive-compatible with standard…
TPH3212PS
-
Поиск
предложений
TPH3205WSB
TPH3205WSB
Transphorm
Арт.: 2263119 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Каскодный нитрид-галлиевый полевой транзистор TPH3205WSB.
TPH3205WSB
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()