COOLSIC™: Новая революция в области MOSFET

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFETКлючи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию места на печатной плате. Компания Infineon под лозунгом «A revolution to rely on» представила на выставке PCIM в мае 2016 года самую последнюю линейку CoolSIC™ MOSFET.

Читать статью on-line

Скачать статью в формате PDF (3,3 МБ)

Журнал: Новости электроники за 2017, №5, стр. 28-31
Производитель: Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
IDH03G65C5XKSA1
IDH03G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114245 ИНФО PDF RND
Доступно: 6301 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH03G65C5XKSA1
6301 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH06G65C5XKSA1
IDH06G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114254 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 3042 шт.
Выбрать
условия
поставки
Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2.
IDH06G65C5XKSA1
3042 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDH12G65C5XKSA1
IDH12G65C5XKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114268 PDF RND
Доступно: 288 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon’s leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon propri…
IDH12G65C5XKSA1
288 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDW12G65C5FKSA1
IDW12G65C5FKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114318 ИНФО PDF RND
Доступно: 1307 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the mor…
IDW12G65C5FKSA1
1307 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
IDW40G65C5FKSA1
IDW40G65C5FKSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2114339 ИНФО PDF RND
Доступно: 1153 шт.
Выбрать
условия
поставки
Silicon Carbide (SiC), CoolSiC™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes. Thanks to the mor…
IDW40G65C5FKSA1
1153 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
1EDI60H12AHXUMA1
1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236154 RND
Доступно: 22912 шт.
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI60H12AHXUMA1
22912 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Доступно: 87032 шт. от: 49.1 руб.
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1 49,10 от 72 шт. 42,10 от 157 шт. 38,60
2605 шт.
(на складе)
84427 шт.
(под заказ)
1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 18840 шт. от: 45.9 руб.
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 45,90 от 77 шт. 39,30 от 168 шт. 36,10
30 шт.
(на складе)
18810 шт.
(под заказ)