В резонансе с новой технологией. Транзисторные eGaN-сборки EPC2107 и EPC2108

Беспроводная зарядка очень, очень удобна, и многие наверняка это оценили: не нужно возится с проводом, пытаясь в потёмках вставить разъем правильной стороной. Меньшее число подключений означает более долгий срок службы разъёма. В большинстве современных электронных устройств разъем питания совмещён с интерфейсом передачи данных и бывало, что устройства приходили в негодность из-за неудачного падения на подключённый разъем. Наконец, постоянные переподключения разъёма оставляют следы на корпусе изделия.

Желание окончательно отказаться от проводных коммуникаций побудило производителей электроники к разработке технологий беспроводной передачи энергии. Конечно, речь не идёт об утопических проектах передачи больших мощностей на значительные расстояния. Проще всего устроить бесконтактное питание по принципу трансформатора, первичной обмоткой которого является катушка в источнике питания (передатчике), а вторичная находится внутри заряжаемого устройства (приёмнике). Этот способ уже реализован на практике и становится все популярнее, однако, наряду с удобством пользователи уже ощутили и его недостатки. КПД индуктивных источников невысок, поэтому с ними батарея заряжается значительно дольше по сравнению с обычными проводными зарядками. А для того, чтобы зарядка началась, нужно правильно расположить устройство по отношению к катушке передатчика, что опять же может вызвать трудности, если это приходится делать на ощупь.

Этих недостатков лишён новый стандарт беспроводной передачи энергии AVP4, получивший название Rezence. Он основан на эффекте магнитного резонанса – том же самом, который используется в медицинских томографах, но для его реализации в мобильных устройствах, конечно же, не требуются сверхпроводящие магниты и прочее очень дорогое оборудование. Технология Rezence открывает перед пользователями мобильных устройств ещё большую свободу. Она не требует точного позиционирования заряжаемого устройства, позволяет одновременно заряжать несколько устройств с различными требованиями к мощности питания, и  при этом ей не помешают металлические предметы, находящиеся рядом. Один из хороших примеров использования Rezence на практике – зарядка, вмонтированная в поверхность рабочего стола. Положенные на неё мобильные телефоны, планшеты и прочая техника будут подзаряжаться. Такие "зарядные столы" могут быть установлены не только дома и в организациях, но и в кафе, магазинах, на вокзалах – словом, везде, где люди проводят какое-то время. Периодическая зарядка "на ходу" продлевает срок работы устройства и сохраняет ёмкость батареи.

Для поддержки нового стандарта беспроводной зарядки компания EPC представила новые транзисторные eGaN-сборки EPC2107 (100 В) и EPC2108 (60 В), предназначенные для полумостовых преобразователей напряжения. eGaN – запатентованная технология компании, улучшающая и без того очень хорошие характеристики GaN-транзисторов. Так, компания обещает отсутствие потерь при переключении транзисторов, что положительно скажется на КПД системы. К слову, это первая разработка компании EPS, в которой bootstrap-транзистор интегрирован в eGaN-микросхему.

Новые транзисторные сборки специально разработаны для резонансных беспроводных систем питания. Каждая сборка содержит три транзистора (см. рис. 1 и таблицу), при этом размеры сборок – всего 1,35x1,35 мм. Столь малые размеры сборок позволяют использовать их в портативных устройствах, где на счету каждый кубический миллиметр объёма корпуса. И не стоит забывать, что применение интегрированных решений упрощает разработку печатной платы устройства и снижает её габариты и стоимость.

Транзисторная сборка EPC2107

Рис.1. Транзисторная сборка EPC2107

Таблица. Транзисторные сборки EPS для резонансных систем беспроводного питания

Название

 

Рабочее напряжение, В

 

Сопротивление RDSon (тип.) Заряд затвора Qoss (тип.)
Управляющий транзистор, мОм Синхр. транзистор, мОм Bootstrap-транзистор, Ом Управляющий транзистор, пКл Синхр. транзистор, пКл Bootstrap-транзистор, пКл
EPC2107 100 240 240 2,1 800 1400 140
EPC2108 60 150 150 2,1 650 1000 100

Для знакомства с новой технологией компания EPC предлагает оценочные наборы, в составе которых – передатчики и приёмники Rezence, силовые цепи которых основаны на сборках EPC2107 и EPC2108 (рис. 2).

Транзисторные сборки EPS для резонансных систем беспроводного питания

Рис.2. Оценочный набор EPC9113

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2001
EPC2001
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371540 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 25A
EPC2001 от 565,00 от 8 шт. 484,00 от 16 шт. 436,00 от 34 шт. 404,00 от 89 шт. 383,00
-
Поиск
предложений
EPC2007
EPC2007
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371541 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 6A
EPC2007 от 168,00 от 24 шт. 144,00 от 53 шт. 130,00 от 114 шт. 120,00 от 299 шт. 114,00
-
Поиск
предложений
EPC2010
EPC2010
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371542 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 12A
EPC2010 от 1300,00 от 4 шт. 1110,00 от 7 шт. 1000,00 от 15 шт. 926,00 от 39 шт. 880,00
-
Поиск
предложений
EPC2012
EPC2012
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371543 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 3A
EPC2012 от 249,00 от 16 шт. 214,00 от 36 шт. 192,00 от 77 шт. 178,00 от 202 шт. 169,00
-
Поиск
предложений
EPC2014
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371544 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 10A
EPC2014
-
Поиск
предложений
EPC2015
EPC2015
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371545 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A
EPC2015 от 476,00 от 9 шт. 408,00 от 19 шт. 367,00 от 41 шт. 340,00 от 106 шт. 323,00
-
Поиск
предложений
EPC2016
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371546 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A
EPC2016 от 316,00 от 13 шт. 271,00 от 28 шт. 244,00 от 61 шт. 226,00 от 160 шт. 214,00
-
Поиск
предложений
EPC2018
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371547 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V
EPC2018 от 1727,25
-
Поиск
предложений
EPC8002ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371548 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V
EPC8002ENGR от 2499,06
-
Поиск
предложений
EPC8004ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371549 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V
EPC8004ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8005ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371550 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V
EPC8005ENGR от 2485,25
-
Поиск
предложений
EPC8007ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371551 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V
EPC8007ENGR от 1449,73
-
Поиск
предложений
EPC8010ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371552 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V
EPC8010ENGR от 2526,67
-
Поиск
предложений
EPC2019
EPC2019
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904817 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
EPC2019 от 577,13
-
Поиск
предложений
EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG от 1491,15
-
Поиск
предложений
EPC2025ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904819 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V
EPC2025ENGR от 1217,77
-
Поиск
предложений
EPC2023ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904820 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V
EPC2023ENG от 1319,95
-
Поиск
предложений
EPC2022ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904821 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V
EPC2022ENG от 1477,34
-
Поиск
предложений
EPC2024ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904822 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
EPC2024ENG от 1353,08
-
Поиск
предложений
EPC2020ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904823 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V
EPC2020ENG от 1398,65
-
Поиск
предложений
EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904824 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V
EPC2027ENGR от 1336,51
-
Поиск
предложений
EPC9035
EPC9035
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904825 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от: 6170 руб.
Демоплата включает в себя транзисторы EPC2022 включенные по полумостовой схеме и драйвер LM5113 со всеми необходимыми элементами обвязки и выходным напряжением до 100V.
EPC9035 от 6170,00 от 2 шт. 6170,00 от 4 шт. 6170,00
1 шт.
(на складе)
EPC9201
EPC9201
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1920909 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
EPC9201 – отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами
EPC9201 от 5120,00 от 2 шт. 4610,00 от 4 шт. 4270,00 от 9 шт. 4050,00
-
Поиск
предложений
EPC2107ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1938352 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзисторная сборка состоит из трех транзисторов: Q1 и Q2 объединены в полумост, а Q3 является независимым. Полумост из Q1 и Q2 - основной элемент усилителя класса D. Для управления этими транзисторами используется драйвер LM5113TM от Texas Instruments. При этом для создания синхронной бутстрепной схемы применяется транзистор Q3 той же сборки EPC2107.
EPC2107ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC2108ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1938353 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.
EPC2108ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC9113
EPC9113
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1938354 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата совместимой со стандартом Rezence беспроводной зарядки на основе транзисторов EPC2108 и EPC2036.
EPC9113 от 110455,68
-
Поиск
предложений
EPC2033ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1941139 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)
EPC2033ENGR от 977,53
-
Поиск
предложений
EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1941140 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)
EPC2034ENGR от 1006,53
-
Поиск
предложений
EPC9047
EPC9047
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1941141 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата EPC9047 содержит на борту все необходимое для знакомства и начала работы с eGaN: полумостовую схему на базе EPC2033, драйверы UCC27611, гальваническую развязку, схемы задержек и формирования «мертвого времени», а так же все необходимые пассивные компоненты, разъемы и тестовые точки.
EPC9047 от 18915,54
-
Поиск
предложений
Производитель: GaN Systems
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
GS66508T-EVBHB
GS66508T-EVBHB
GaN Systems
Арт.: 2090043 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Характеристики отладочной платы GS66508T-EVBHB: • базовая схема: полумост; • тип транзисторов: GS66508T 650 В; • возможные схемы включения: полумост, повышающий DC/DC преобразователь, понижающий DC/DC преобразователь; • напряжение питания: 9…12 В; • выходной ток: до 30 А; • достижимый КПД: >98,5 % при выходной мощности 1…2 кВт (понижающий преобразователь).
GS66508T-EVBHB от 45148,76
-
Поиск
предложений
GS66508T-E02-TY
GS66508T-E02-TY
GaN Systems
Арт.: 2090044 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Характеристики GaN-транзистора GS66508T: • Рейтинг напряжения: 650 В; • Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм; • Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм; • Максимальный токе стока: 30А; • Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В; • Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В; • Рабочая частота: более 100 МГц; • Расположение теплоотводящей площадки: сверху; • Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.Ограничение ввоза
GS66508T-E02-TY от 4832,44
-
Поиск
предложений
Производитель: XSYSTOR INC.
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
Производитель: STMicroelectronics
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
STL140N4F7AG
STMicroelectronics
Арт.: 2176628 ИНФО PDF AN
Доступно: 898 шт.
Выбрать
условия
поставки
N-канальный полевой транзистор с рабочим напряжением до 40 В и постоянным током до 120 А! Несмотря на миниатюрный корпус PowerFLAT 5x6 WF 6x5 мм, значение типового сопротивления открытого канала этого ключа оказывается равным всего 2,1 мОм (Uзи10 В).
STL140N4F7AG от 392,12
898 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
STL190N4F7AG
STMicroelectronics
Арт.: 2176632 ИНФО PDF AN
Доступно: 1410 шт.
Выбрать
условия
поставки
N-канальный полевой транзистор, который отличается от STL140N4F7AG еще более низким сопротивлением 1,68 мОм (Uзи10 В). Однако входная емкость у него несколько выше и достигает 3 нФ.
STL190N4F7AG от 415,59
1410 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
Производитель: VisIC Technologies LTD
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
V22S65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196384 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с рейтингом напряжений 650 В, постоянным током до 50 А и импульсным током до 180 А. SIP (System In Package) корпус. Идеально подойдет для использования в импульсных асинхронных преобразователях и в корректорах коэффициента мощности.
V22S65A
-
Поиск
предложений
V22N65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196385 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с напряжениtv 650 В. В отличие от V22S65A, данный ключ имеет обратный SiC-диод Шоттки. Благодаря этой особенности V22N65A может использоваться в быстродействующих мостовых и полумостовых схемах.
V22N65A
-
Поиск
предложений
Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG1020YFFR
LMG1020YFFR
Texas Instruments
Арт.: 2739347 ИНФО PDF RD DT
Доступно: 465 шт.
Выбрать
условия
поставки
Cверхбыстродействующий драйвер, предназначенный для управления GaN-транзисторами силового полумоста
LMG1020YFFR от 247,14
465 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки

Сравнение позиций

  • ()