Силовые ключи (GaN Systems )

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

Производитель: GaN Systems
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
GS66508P-E03-TY
GS66508P-E03-TY
GaN Systems
Арт.: 1895271 ИНФО PDF
Поиск
предложений
GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал. Vds: 650 V Vgs: 10 V Id : 30 A Rds On : 52 mOhms Qg: 6.5 nC Ciss : 180 pF
GS66508P-E03-TY 5904,27
-
Поиск
предложений
GS61008P-E03-TY
GS61008P-E03-TY
GaN Systems
Арт.: 3095760 ИНФО PDF
Поиск
предложений
GaN транзистор на напряжение 100V в корпусе с низкой индуктивностью. N-Канал. Vds: 100 V Vgs: 10 V Id : 90 A Rds On : 7.4 mOhms Qg: 16 nC Ciss : 345 pF
GS61008P-E03-TY 1574,47
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()