Интегральные микросхемы для источников электропитания (1EDI40I12AFXUMA1 - 2SK3078A[TE12L.F])

add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить
compare

1EDI40I12AFXUMA1
1EDI40I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111794 PDF AN RND
Доступно: 340 шт. от 1 шт. от 193,13
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 7.5A, DSO-8
1EDI40I12AFXUMA1 от 1 шт. от 193,13
340 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDI40I12AHXUMA1
1EDI40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236153 PDF AN RND
Доступно: 245 шт. от 1 шт. от 268,09
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
1EDI40I12AHXUMA1 от 1 шт. от 268,09
245 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDI60H12AHXUMA1
1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236154 PDF RND
Доступно: 235 шт. от 1 шт. от 279,61
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI60H12AHXUMA1 от 1 шт. от 279,61
235 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDI60I12AFXUMA1
1EDI60I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111795 PDF RD RND
Доступно: 302 шт. от 1 шт. от 217,64
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - High voltage, high speed IGBT driver with CT technology. ВозможностиSeparate…
1EDI60I12AFXUMA1 от 1 шт. от 217,64
302 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDI60I12AHXUMA1
1EDI60I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236155 PDF RND
Доступно: 235 шт. от 1 шт. от 279,61
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI60I12AHXUMA1 от 1 шт. от 279,61
235 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDI60N12AFXUMA1
1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111796 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 227 шт. от 1 шт. от 289,23
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI60N12AFXUMA1 от 1 шт. от 289,23
227 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDN7511BXUSA1
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722358 ИНФО
Доступно: 572 шт. 84,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7511BXUSA1 84,50 от 46 шт. 72,50 от 102 шт. 65,50 от 219 шт. 60,50 от 575 шт. 57,50
285 шт.
(на складе)
287 шт.
(под заказ)
compare

1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Доступно: 1006 шт. 65,50
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1 65,50 от 59 шт. 56,00 от 131 шт. 50,50 от 282 шт. 46,80 от 740 шт. 44,50
1006 шт.
(на складе)
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 601 шт. 34,70
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 34,70 от 111 шт. 29,70 от 246 шт. 26,70 от 532 шт. 24,80 от 1399 шт. 23,50
1 шт.
(на складе)
600 шт.
(под заказ)
compare

1EDN7550BXTSA1
1EDN7550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777608 RD
Доступно: 373 шт. от 1 шт. от 176,22
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7550BXTSA1 от 1 шт. от 176,22
373 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDN8511BXUSA1
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3027811 ИНФО
Доступно: 558 шт. 84,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8511BXUSA1 84,00 от 46 шт. 72,00 от 102 шт. 65,00 от 220 шт. 60,00 от 600 шт. 57,00
254 шт.
(на складе)
304 шт.
(под заказ)
compare

1EDN8550BXTSA1
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777609 RD
Доступно: 497 шт. от 1 шт. от 132,31
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8550BXTSA1 от 1 шт. от 132,31
497 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО
Доступно: 35 шт. от 1 шт. от 1863,80
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1 от 1 шт. от 1863,80
35 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
compare

200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
compare

200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
compare

2ED020I06FIXUMA1
2ED020I06FIXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111798 PDF AN RND
Доступно: 474 шт. от 85 шт. от 138,81
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Enhanced - High voltage, high speed power MOSFET and IGBT half-bridge driver IC with coreless transformer te…
2ED020I06FIXUMA1 от 85 шт. от 138,81
474 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2ED020I12F2XUMA1
2ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111799 PDF AN RD RND
Доступно: 93 шт. от 1 шт. от 706,25
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-36
2ED020I12F2XUMA1 от 1 шт. от 706,25
93 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2ED020I12FAXUMA2
2ED020I12FAXUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111800 PDF RD RND
Доступно: 63 шт. от 1 шт. от 1040,06
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Automotive - Galvanic isolated dual channel IGBT driver IC ВозможностиCoreless transfo…
2ED020I12FAXUMA2 от 1 шт. от 1040,06
63 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2ED2304S06FXUMA1
2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2634358 ИНФО
Доступно: 612 шт. 97,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2304S06FXUMA1 97,00 от 40 шт. 83,00 от 89 шт. 75,00 от 191 шт. 69,00 от 502 шт. 66,00
500 шт.
(на складе)
112 шт.
(под заказ)
compare

2EDF7275FXUMA1
2EDF7275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2792822 ИНФО RD
Доступно: 188 шт. от 1 шт. от 349,38
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2EDF7275FXUMA1 от 1 шт. от 349,38
188 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDL05I06BFXUMA1
2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111803 PDF AN RND
Доступно: 366 шт. от 10 шт. от 179,76
Выбрать
условия
поставки
IGBT GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8
2EDL05I06BFXUMA1 от 10 шт. от 179,76
366 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDL05I06PFXUMA1
2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111804 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2521 шт. 19,60
'Драйвер затворов верхнего и нижнего ключа для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: IGBT; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 420 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'
2EDL05I06PFXUMA1 19,60 от 75 шт. 19,60 от 166 шт. 19,60 от 358 шт. 19,60 от 940 шт. 19,60
2429 шт.
(на складе)
92 шт.
(под заказ)
compare

2EDL05I06PJXUMA1
2EDL05I06PJXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111805 PDF AN RND
Доступно: 309 шт. от 1 шт. от 212,55
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control IGBTs Возможн…
2EDL05I06PJXUMA1 от 1 шт. от 212,55
309 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDL05N06PFXUMA1
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111806 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 1054 шт. 62,50
MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8
2EDL05N06PFXUMA1 62,50 от 62 шт. 53,50 от 137 шт. 48,20 от 295 шт. 44,70 от 776 шт. 42,40
1054 шт.
(на складе)
compare

2EDL05N06PJXUMA1
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111807 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 411 шт. от 1 шт. от 159,99
Выбрать
условия
поставки
MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-14
2EDL05N06PJXUMA1 от 1 шт. от 159,99
411 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDL23I06PJXUMA1
2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111808 PDF AN RND
Доступно: 208 шт. от 1 шт. от 316,13
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control IGBTs Возможн…
2EDL23I06PJXUMA1 от 1 шт. от 316,13
208 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDL23N06PJXUMA1
2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111809 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 208 шт. от 1 шт. от 316,13
Выбрать
условия
поставки
MOSFET GATE DRIVER, 2.3A, DSO-14
2EDL23N06PJXUMA1 от 1 шт. от 316,13
208 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN7424FXTMA1
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265381 ИНФО PDF
Доступно: 434 шт. от 1 шт. от 151,34
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, SOIC-8
2EDN7424FXTMA1 от 1 шт. от 151,34
434 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN7424RXUMA1
2EDN7424RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265382 ИНФО PDF
Доступно: 891 шт. 74,00
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN7424RXUMA1 74,00 от 53 шт. 63,00 от 116 шт. 57,00 от 250 шт. 52,50 от 657 шт. 50,00
890 шт.
(на складе)
1 шт.
(под заказ)
compare

2EDN7523FXTMA1
2EDN7523FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111810 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 987 шт. 40,50
EiceDRIVER™ 2EDN Gate Driver for MOSFETs, Возможности 5A peak source/sink current 5ns (typ.) rise/fall times < 10ns propaga…
2EDN7523FXTMA1 40,50 от 45 шт. 40,50 от 99 шт. 40,50 от 214 шт. 40,50 от 563 шт. 40,50
779 шт.
(на складе)
208 шт.
(под заказ)
compare

2EDN7523RXUMA1
2EDN7523RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111811 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 400 шт. от 1 шт. от 164,32
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN7523RXUMA1 от 1 шт. от 164,32
400 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN7524FXTMA1
2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111812 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 477 шт. 69,00
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, DSO-8
2EDN7524FXTMA1 69,00 от 56 шт. 59,00 от 124 шт. 53,00 от 268 шт. 49,20 от 704 шт. 46,70
133 шт.
(на складе)
344 шт.
(под заказ)
compare

2EDN7524RXUMA1
2EDN7524RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111813 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 301 шт. от 1 шт. от 217,93
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN7524RXUMA1 от 1 шт. от 217,93
301 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN8523FXTMA1
2EDN8523FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111814 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 400 шт. от 1 шт. от 164,32
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, DSO-8
2EDN8523FXTMA1 от 1 шт. от 164,32
400 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN8523RXUMA1
2EDN8523RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111815 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 400 шт. от 1 шт. от 164,32
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN8523RXUMA1 от 1 шт. от 164,32
400 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN8524FXTMA1
2EDN8524FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111816 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 400 шт. от 1 шт. от 164,32
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, DSO-8
2EDN8524FXTMA1 от 1 шт. от 164,32
400 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDN8524RXUMA1
2EDN8524RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111817 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 301 шт. от 1 шт. от 217,93
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN8524RXUMA1 от 1 шт. от 217,93
301 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2EDS8265HXUMA1
2EDS8265HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722363 ИНФО RD
Доступно: 349 шт. от 1000 шт. от 188,75
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2EDS8265HXUMA1 от 1000 шт. от 188,75
349 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2SK3078A[TE12L.F]
Toshiba Corp.
Арт.: 1348333
Доступно: 325 шт. от 1 шт. от 201,79
Выбрать
условия
поставки
2SK3078A[TE12L.F] от 1 шт. от 201,79
325 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()