Драйверы MOSFET и IGBT (100X01R4 - 1EDN7550BXTSA1)

Производители
Корпус все
Кол-во нижних каналов все
Кол-во верхних каналов все
Макс. напряжение смещения все
Макс. выходной ток спада все
Макс. выходной ток нарастания все
Тmin, все
Тмакс, все
Конфигурация все
Пиковый выходной ток все
Напряжение питания Min все
Напряжение питания Max все
Кол-во выводов все
Тип устройства все
ton (нс) все
toff (нс) все
RoHS Phthalates Compliant все
Product Range все
Base Number все
Module Configuration все
Operating Temperature Range все
Supply Voltage Range все
Termination Type все
No. of Outputs все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Макс. напряжение смещения Макс. выходной ток спада Макс. выходной ток нарастания Тmin, Тмакс, Конфигурация Пиковый выходной ток Напряжение питания Min Напряжение питания Max Кол-во выводов Тип устройства ton (нс) toff (нс) RoHS Phthalates Compliant Product Range Base Number Module Configuration Operating Temperature Range Supply Voltage Range Termination Type No. of Outputs
compare

100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
                                               
compare

100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
                                               
compare

100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
                                               
compare

1ED020I12B2XUMA1
1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111780 PDF AN RND
Доступно: 568 шт. 116,00
IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-16
1ED020I12B2XUMA1 116,00 от 22 шт. 116,00 от 48 шт. 116,00 от 103 шт. 116,00 от 270 шт. 116,00
568 шт.
(на складе)
                           
compare

1ED020I12F2XUMA1
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2196151 PDF AN RND
Доступно: 242 шт. 272,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2A, DSO-16
1ED020I12F2XUMA1 272,00 от 15 шт. 234,00 от 32 шт. 210,00 от 68 шт. 195,00 от 179 шт. 185,00
242 шт.
(на складе)
                           
compare

1ED020I12FA2XUMA2
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111782 PDF AN RND
Доступно: 385 шт. 171,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FA2XUMA2 171,00 от 12 шт. 171,00 от 27 шт. 171,00 от 57 шт. 171,00 от 148 шт. 171,00
385 шт.
(на складе)
                               
compare

1ED020I12FTAXUMA2
1ED020I12FTAXUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111783 PDF AN RND
Доступно: 92 шт. от 1 шт. от 716,34
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FTAXUMA2 от 1 шт. от 716,34
92 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                               
compare

1ED44176N01FXUMA1
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722357 RD
Доступно: 1424 шт. 60,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44176N01FXUMA1 60,00 от 65 шт. 51,50 от 143 шт. 46,30 от 308 шт. 42,90 от 810 шт. 40,70
492 шт.
(на складе)
932 шт.
(под заказ)
                           
compare

1EDC05I12AHXUMA1
1EDC05I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575821 ИНФО
Доступно: 260 шт. от 1 шт. от 253,13
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, WSOIC-8
1EDC05I12AHXUMA1 от 1 шт. от 253,13
260 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC10I12MHXUMA1
1EDC10I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575822 ИНФО
Доступно: 218 шт. от 1 шт. от 301,13
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, SOIC-8
1EDC10I12MHXUMA1 от 1 шт. от 301,13
218 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC20H12AHXUMA1
1EDC20H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575823 ИНФО
Доступно: 232 шт. от 1 шт. от 283,05
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, WSOIC-8
1EDC20H12AHXUMA1 от 1 шт. от 283,05
232 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC20I12AHXUMA1
1EDC20I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575824 ИНФО
Доступно: 228 шт. от 1 шт. от 288,04
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, WSOIC-8
1EDC20I12AHXUMA1 от 1 шт. от 288,04
228 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC20I12MHXUMA1
1EDC20I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575825 ИНФО
Доступно: 228 шт. от 1 шт. от 288,04
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, SOIC-8
1EDC20I12MHXUMA1 от 1 шт. от 288,04
228 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC30I12MHXUMA1
1EDC30I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575826 ИНФО
Доступно: 219 шт. от 1 шт. от 299,88
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, SOIC-8
1EDC30I12MHXUMA1 от 1 шт. от 299,88
219 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDC60H12AHXUMA1
1EDC60H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575828 ИНФО
Доступно: 208 шт. от 1 шт. от 316,09
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C, WSOIC-8
1EDC60H12AHXUMA1 от 1 шт. от 316,09
208 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО
Доступно: 37 шт. от 1 шт. от 1781,03
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1 от 1 шт. от 1781,03
37 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 RD
Доступно: 35 шт. от 1 шт. от 1844,49
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1 от 1 шт. от 1844,49
35 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDI05I12AFXUMA1
1EDI05I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111785 PDF AN RND
Доступно: 309 шт. от 1 шт. от 212,77
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 1.3A, DSO-8
1EDI05I12AFXUMA1 от 1 шт. от 212,77
309 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI05I12AHXUMA1
1EDI05I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236147 PDF AN RND
Доступно: 280 шт. от 1 шт. от 235,19
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI05I12AHXUMA1 от 1 шт. от 235,19
280 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI10I12MFXUMA1
1EDI10I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111786 PDF AN RND
Доступно: 351 шт. от 1 шт. от 187,57
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2.3A, DSO-8
1EDI10I12MFXUMA1 от 1 шт. от 187,57
351 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI10I12MHXUMA1
1EDI10I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236148 PDF AN RND
Доступно: 264 шт. от 1 шт. от 249,61
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
1EDI10I12MHXUMA1 от 1 шт. от 249,61
264 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI2010ASXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2286867 RD
Доступно: 70 шт. от 1 шт. от 937,05
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, AEC-Q100, -40 TO 125DEG C
1EDI2010ASXUMA1 от 1 шт. от 937,05
70 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDI20H12AHXUMA1
1EDI20H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236149 PDF AN RND
Доступно: 267 шт. от 1 шт. от 246,73
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
1EDI20H12AHXUMA1 от 1 шт. от 246,73
267 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI20I12AFXUMA1
1EDI20I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111789 PDF AN RND
Доступно: 273 шт. от 1 шт. от 241,05
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 4A, DSO-8
1EDI20I12AFXUMA1 от 1 шт. от 241,05
273 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI20I12AHXUMA1
1EDI20I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236150 PDF RND
Доступно: 267 шт. от 1 шт. от 246,73
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI20I12AHXUMA1 от 1 шт. от 246,73
267 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI20I12MFXUMA1
1EDI20I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111790 PDF AN RND
Доступно: 630 шт. 41,60
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 4.4A, DSO-8
1EDI20I12MFXUMA1 41,60 от 36 шт. 41,60 от 78 шт. 41,60 от 169 шт. 41,60 от 444 шт. 41,60
455 шт.
(на складе)
175 шт.
(под заказ)
                           
compare

1EDI20I12MHXUMA1
1EDI20I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236151 PDF AN RND
Доступно: 252 шт. от 1 шт. от 261,16
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
1EDI20I12MHXUMA1 от 1 шт. от 261,16
252 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI20N12AFXUMA1
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111791 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 275 шт. от 1 шт. от 239,70
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI20N12AFXUMA1 от 1 шт. от 239,70
275 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDI30I12MFXUMA1
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111792 PDF AN RND
Доступно: 352 шт. 129,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8
1EDI30I12MFXUMA1 129,00 от 30 шт. 111,00 от 67 шт. 99,50 от 143 шт. 92,50 от 376 шт. 87,50
108 шт.
(на складе)
244 шт.
(под заказ)
                           
compare

1EDI30I12MHXUMA1
1EDI30I12MHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236152 PDF RND
Доступно: 240 шт. от 1 шт. от 274,14
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI30I12MHXUMA1 от 1 шт. от 274,14
240 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI40I12AFXUMA1
1EDI40I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111794 PDF AN RND
Доступно: 340 шт. от 1 шт. от 193,34
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 7.5A, DSO-8
1EDI40I12AFXUMA1 от 1 шт. от 193,34
340 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI40I12AHXUMA1
1EDI40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236153 PDF AN RND
Доступно: 245 шт. от 1 шт. от 268,37
Выбрать
условия
поставки
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
1EDI40I12AHXUMA1 от 1 шт. от 268,37
245 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI60H12AHXUMA1
1EDI60H12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236154 PDF RND
Доступно: 235 шт. от 1 шт. от 279,91
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI60H12AHXUMA1 от 1 шт. от 279,91
235 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI60I12AFXUMA1
1EDI60I12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111795 PDF RD RND
Доступно: 302 шт. от 1 шт. от 217,87
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - High voltage, high speed IGBT driver with CT technology. ВозможностиSeparate…
1EDI60I12AFXUMA1 от 1 шт. от 217,87
302 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI60I12AHXUMA1
1EDI60I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236155 PDF RND
Доступно: 235 шт. от 1 шт. от 279,91
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - Galvanically isolated single channel IGBT driver IC in a wide-body package with CT technology for …
1EDI60I12AHXUMA1 от 1 шт. от 279,91
235 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1EDI60N12AFXUMA1
1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111796 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 227 шт. от 1 шт. от 289,53
Выбрать
условия
поставки
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI60N12AFXUMA1 от 1 шт. от 289,53
227 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                         
compare

1EDN7511BXUSA1
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722358 ИНФО
Доступно: 570 шт. 84,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7511BXUSA1 84,50 от 46 шт. 72,50 от 102 шт. 65,50 от 219 шт. 60,50 от 575 шт. 57,50
285 шт.
(на складе)
285 шт.
(под заказ)
                         
compare

1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Доступно: 998 шт. 66,00
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1 66,00 от 59 шт. 57,00 от 130 шт. 51,00 от 279 шт. 47,30 от 734 шт. 44,90
998 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 602 шт. 35,80
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 35,80 от 108 шт. 30,70 от 239 шт. 27,60 от 516 шт. 25,60 от 1357 шт. 24,30
1 шт.
(на складе)
601 шт.
(под заказ)